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龍圖騰網(wǎng)獲悉弘潤半導體(蘇州)有限公司申請的專利一種半導體封裝測試優(yōu)化方法及系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120373052B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-02發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202510870471.6，技術領域涉及：G06F30/23；該發(fā)明授權(quán)一種半導體封裝測試優(yōu)化方法及系統(tǒng)是由李維繁星;沈紅星;陳泳宇;盛道亮設計研發(fā)完成，并于2025-06-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導體封裝測試優(yōu)化方法及系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導體封裝測試優(yōu)化方法及系統(tǒng)，涉及封裝測試領域，包括，采集多維異常信號并進行預處理，生成標準數(shù)據(jù)集，對標準數(shù)據(jù)集中的數(shù)據(jù)分別進行特征提取，得到標準特征向量，并輸入構(gòu)建完成的異常檢測模型中，得到異常信號報告，通過異常信號報告和預定義的映射規(guī)則為芯片分配測試項目，生成結(jié)構(gòu)圖譜和電性圖譜，并輸入進多模態(tài)Transformer模型中，輸出融合圖譜，根據(jù)融合圖譜計算測試權(quán)重生成測試權(quán)重圖和區(qū)域優(yōu)先級列表。本發(fā)明提升先進封裝的測試效率、微小缺陷檢測精度和邊界失效預測。

本發(fā)明授權(quán)一種半導體封裝測試優(yōu)化方法及系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體封裝測試優(yōu)化方法，其特征在于：包括， 采集多維異常信號并進行預處理，生成標準數(shù)據(jù)集； 對標準數(shù)據(jù)集中的數(shù)據(jù)分別進行特征提取，得到標準特征向量，并輸入構(gòu)建完成的異常檢測模型中，得到異常信號報告； 通過異常信號報告和預定義的映射規(guī)則為芯片分配測試項目，生成結(jié)構(gòu)圖譜和電性圖譜，并輸入進多模態(tài)Transformer模型中，輸出融合圖譜； 所述輸出融合圖譜是指將結(jié)構(gòu)圖譜和電性圖譜進行預處理后輸入訓練完成的多模態(tài)Transformer模型，通過多層注意力機制學習結(jié)構(gòu)與電性特征的關聯(lián)，生成融合圖譜，具體為， 對芯片進行超聲掃描，生成內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖像，采用邊緣檢測算法對內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖像進行增強后提取結(jié)構(gòu)特征，將提取的結(jié)構(gòu)特征映射至預設網(wǎng)格坐標系，生成結(jié)構(gòu)圖譜； 對芯片進行電性測試，采集電性數(shù)據(jù)，并映射至網(wǎng)格坐標系，生成電性熱力圖，計算每個網(wǎng)格的數(shù)據(jù)偏離度，通過閾值標記異常區(qū)域，生成電性圖譜； 對結(jié)構(gòu)圖譜與電性圖譜進行標準化處理，統(tǒng)一維度和數(shù)值范圍后輸入多模態(tài)Transformer模型，通過多層注意力機制執(zhí)行特征融合，第一層注意力機制計算結(jié)構(gòu)特征與電性特征的局部空間關聯(lián)，生成網(wǎng)格級關聯(lián)權(quán)重； 后續(xù)注意力機制逐步提取跨網(wǎng)格全局特征，建立結(jié)構(gòu)缺陷與電性異常的因果映射關系，生成融合圖譜； 根據(jù)融合圖譜計算測試權(quán)重生成測試權(quán)重圖和區(qū)域優(yōu)先級列表； 通過測試權(quán)重圖和區(qū)域優(yōu)先級列表，使用A*算法規(guī)劃測試路徑生成優(yōu)化測試序列，同時針對芯片邊界區(qū)域使用有限元分析軟件建立封裝芯片三維模型，輸出應力分布圖； 所述生成優(yōu)化測試序列，具體為， 加載測試權(quán)重圖與區(qū)域優(yōu)先級列表，提取高優(yōu)先級網(wǎng)格坐標集合與低優(yōu)先級網(wǎng)格坐標集合； 以芯片中心網(wǎng)格為路徑搜索起點，初始化開放列表與關閉列表，定義網(wǎng)格搜索空間，迭代執(zhí)行路徑搜索，探索當前網(wǎng)格的相鄰網(wǎng)格，計算實際測試時間代價； 以曼哈頓距離估算至未覆蓋高優(yōu)先級網(wǎng)格的啟發(fā)式時間代價，更新相鄰網(wǎng)格路徑代價得到優(yōu)化測試序列； 所述輸出應力分布圖是通過有限元分析軟件模擬芯片邊界區(qū)域的熱應力和機械應力生成的； 使用訓練完成的微損傷風險模型對應力分布圖進行處理，得到微損傷概率分布圖，獲取邊界區(qū)域的測試點分布和測試項目計劃，具體包括如下步驟， 使用歷史測試數(shù)據(jù)對XGBoost模型進行訓練，得到微損傷風險模型； 將應力分布圖輸入進微損傷風險模型進行推理，生成微損傷概率分布圖； 根據(jù)工藝需求和生產(chǎn)經(jīng)驗設置區(qū)域閾值，在微損傷概率分布圖劃分風險區(qū)域，并確定邊界區(qū)域的測試點分布，生成測試項目計劃。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人弘潤半導體(蘇州)有限公司，其通訊地址為：215500 江蘇省蘇州市常熟市碧溪街道通港路58號10幢；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。