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龍圖騰網獲悉富士電機株式會社申請的專利碳化硅半導體裝置及碳化硅半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112466924B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010751541.3，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權碳化硅半導體裝置及碳化硅半導體裝置的制造方法是由木下明將設計研發完成，并于2020-07-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本碳化硅半導體裝置及碳化硅半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：提供一種能夠提高可靠性并且能夠防止成本增大的碳化硅半導體裝置及碳化硅半導體裝置的制造方法。第一p+型區21以與p型基區4分開的方式設置在溝槽7的正下方，并在深度方向Z上與溝槽7的底面對置。第一p+型區21在溝槽7的底面露出，并在溝槽7的底面與柵極絕緣膜8接觸。第二p+型區22以與第一p+型區21和溝槽7分開的方式設置于相鄰的溝槽7之間臺面區。第二p+型區22的漏極側端部位于比第一p+型區21的漏極側端部更靠源極側的位置。n+型區23以與第一p+型區21和溝槽7分開的方式設置于臺面區。n+型區23在深度方向Z上與第二p+型區22對置并鄰接。

本發明授權碳化硅半導體裝置及碳化硅半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅半導體裝置，其特征在于，具備： 半導體基板，由碳化硅構成； 第一導電型的第一半導體區，設置于所述半導體基板的內部； 第二導電型的第二半導體區，設置于所述半導體基板的第一主面與所述第一半導體區之間； 第一導電型的第三半導體區，選擇性地設置于所述半導體基板的第一主面與所述第二半導體區之間； 第一導電型的第四半導體區，設置于所述第一半導體區與所述第二半導體區之間，且雜質濃度比所述第一半導體區的雜質濃度高； 溝槽，貫通所述第三半導體區和所述第二半導體區而到達所述第四半導體區； 柵電極，隔著柵極絕緣膜設置于所述溝槽的內部； 第一導電型的第五半導體區，設置于所述半導體基板的第二主面與所述第一半導體區之間，且雜質濃度比所述第一半導體區的雜質濃度高； 第一個第二導電型高濃度區，以與所述第二半導體區分開的方式選擇性地設置于比所述溝槽的底面更靠近所述第二主面的位置，且在深度方向上與所述溝槽的底面對置，雜質濃度比所述第二半導體區的雜質濃度高； 第二個第二導電型高濃度區，以與所述溝槽和所述第一個第二導電型高濃度區分開的方式選擇性地設置于比所述第一個第二導電型高濃度區更靠近所述第一主面的位置，且與所述第二半導體區接觸，雜質濃度比所述第二半導體區的雜質濃度高； 第一電極，與所述第二半導體區和所述第三半導體區電連接；以及 第二電極，與所述第五半導體區電連接， 所述第二個第二導電型高濃度區的所述第二主面側的端部位于比所述第一個第二導電型高濃度區的所述第二主面側的端部更靠所述第一主面側的位置， 所述碳化硅半導體裝置還具備： 第一導電型高濃度區，在所述第四半導體區的內部，以與所述溝槽和所述第一個第二導電型高濃度區分開的方式選擇性地設置在深度方向上比所述第二個第二導電型高濃度區更靠近所述第二主面的位置，且與所述第二個第二導電型高濃度區對置并接觸，雜質濃度比所述第一半導體區的雜質濃度高。

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