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龍圖騰網獲悉羅伯特·博世有限公司申請的專利半導體設備以及用于制造半導體設備的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114402438B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080059711.X，技術領域涉及：H10D62/17；該發明授權半導體設備以及用于制造半導體設備的方法是由A·馬丁內斯-利米亞;K·埃耶斯;W·法伊勒;S·施魏格爾;J-H·阿爾斯邁爾設計研發完成，并于2020-08-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體設備以及用于制造半導體設備的方法在說明書摘要公布了：提供一種半導體設備1。所述半導體設備1可以具有：第一導電類型的漂移區11，111，13，14，15；在所述漂移區11，111，13，14，15上的第二導電類型的溝道區8，108，其中，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反；在所述溝道區8，108上的所述第一導電類型的源極區9，109；溝槽5，所述溝槽形成絕緣柵并且延伸通過所述源極區9，109和所述溝道區8，108，從而所述溝槽的底部位于所述漂移區11，111，13，14，15中；所述第二導電類型的至少一個掩埋區12，所述掩埋區在所述漂移區11，111，13，14，15內從所述漂移區11，111，13，14，15的邊緣區域延伸至所述溝槽5，并與所述溝槽5的表面的第一部分區域32直接接觸，其中，所述溝槽5的表面的第二部分區域34與所述漂移區11，111，13，14，15直接接觸，其中，所述掩埋區12與所述源極區9，109導電連接。

本發明授權半導體設備以及用于制造半導體設備的方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體設備1，所述半導體設備具有： 第一導電類型的漂移區11，111，13，14，15； 在所述漂移區11，111，13，14，15上的第二導電類型的溝道區8，108，其中，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反； 在所述溝道區8，108上或在所述溝道區8，108中的所述第一導電類型的源極區9，109； 溝槽5，所述溝槽形成絕緣柵，并且所述溝槽延伸通過所述源極區9，109和所述溝道區8，108，從而所述溝槽的底部位于所述漂移區11，111，13，14，15中； 所述第二導電類型的至少一個掩埋區12，所述掩埋區在所述漂移區11，111，13，14，15內從所述漂移區11，111，13，14，15的邊緣區域延伸至所述溝槽5，并與所述溝槽5的表面的第一部分區域32直接接觸， 其中，所述溝槽5的表面的第二部分區域34與所述漂移區11，111，13，14，15直接接觸， 其中，所述掩埋區12與所述源極區9，109導電連接， 其中，所述至少一個掩埋區12具有多個掩埋區12； 其中，所述溝槽5的表面的所述第一部分區域32具有多個第一部分區域區段， 其中，所述第二部分區域34位于所述第一部分區域區段之間， 其中，所述溝槽在縱向方向和與所述縱向方向垂直的橫向方向上延伸，其中，所述溝槽5在所述縱向方向上的延伸比在所述橫向方向上更長； 其中，所述第一部分區域區段沿著所述縱向方向布置在所述溝槽5的第一側面上和所述溝槽5的與所述第一側面相對置的第二側面上， 其中，所述掩埋區12中的每個掩埋區與所述溝槽5的所述縱向方向包圍一角度， 其中，與所述第一側面上的第一部分區域區段接觸的掩埋區12與所述溝槽5的所述縱向方向包圍第一角度φ1， 其中，與所述第二側面上的第一部分區域區段接觸的掩埋區12與所述溝槽5的所述縱向方向包圍第二角度φ2， 其中，對于0°α45°，φ1＝45°+α并且φ2＝45°-α。

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