圣邦微電子(北京)股份有限公司易新敏獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉圣邦微電子(北京)股份有限公司申請的專利一種充電電流檢測電路獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114740321B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011553779.1,技術領域涉及:G01R31/26;該發明授權一種充電電流檢測電路是由易新敏;劉曉琳;徐海峰;李雅淑;馬玲莉;賈麗偉設計研發完成,并于2020-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種充電電流檢測電路在說明書摘要公布了:一種充電電流檢測電路,其特征在于:模擬電路由減法器、乘法器、加法器和除法器組成,用于對降壓充電電路的輸出電流進行測量和計算;減法器的正相輸入端為反向阻斷MOS管的源漏極電流IAC,負相輸入端為反向阻斷MOS管的漏極電壓VPMID的倍數,輸出端與乘法器的輸入端連接;乘法器的輸入端一端連接反向阻斷MOS管的漏極電壓VPMID,另一端連接減法器的輸出端,輸出端與除法器連接;加法器的輸入端分別與電池電壓VBAT連接,與除法器的輸出端加權連接并反饋IBAT,輸出與除法器的另一端連接;除法器輸出端為電池電流。利用本發明中的方法,能準確地對充電電流進行檢測,節約成本、減小芯片面積、降低功耗。
本發明授權一種充電電流檢測電路在權利要求書中公布了:1.一種充電電流檢測電路,其特征在于: 所述充電電流檢測電路的模擬電路由減法器、乘法器、加法器和除法器組成,用于對降壓充電電路的輸出電流進行測量和計算;所述降壓充電電路包括反向阻斷MOS管; 其中,所述減法器的正相輸入端為反向阻斷MOS管的源漏極電流IAC,負相輸入端為反向阻斷MOS管的漏極電壓VPMID的倍數,輸出端與所述乘法器的輸入端連接; 所述乘法器的輸入端一端連接反向阻斷MOS管的漏極電壓VPMID,另一端連接減法器的輸出端,輸出端與除法器連接; 所述加法器的輸入端分別與電池電壓VBAT連接,與除法器的輸出端加權連接并反饋IBAT,輸出與除法器的另一端連接;權重為RON+RESR,其中,RON為所述降壓充電電路中第一開關管MH和第二開關管ML的源漏極導通電阻,RESR為電感寄生電阻的電阻值; 所述除法器輸出端為電池電流。
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