長鑫存儲技術有限公司鄧升成獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利工藝偏差檢測電路與工藝偏差檢測方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114675159B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202011550999.9,技術領域涉及:G01R31/28;該發明授權工藝偏差檢測電路與工藝偏差檢測方法是由鄧升成;許家齊;邱安平設計研發完成,并于2020-12-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本工藝偏差檢測電路與工藝偏差檢測方法在說明書摘要公布了:本公開提供一種工藝偏差檢測電路與工藝偏差檢測方法,所述工藝偏差檢測電路設置在芯片中,包括:第一環形振蕩器,所述第一環形振蕩器的相鄰兩個反相器之間均設置有第一數量的預設種類的輔助元件;第二環形振蕩器,所述第二環形振蕩器的相鄰兩個反相器之間均設置有第二數量的所述預設種類的輔助元件,所述第二數量大于所述第一數量;所述第一環形振蕩器的反相器的數量、晶體管的種類和尺寸與所述第二環形振蕩器的反相器的數量、晶體管的種類和尺寸相同,所述輔助元件的種類和連接方式與所述芯片的待測元件參數對應。本公開實施例可以檢測芯片中多種參數的工藝偏差情況。
本發明授權工藝偏差檢測電路與工藝偏差檢測方法在權利要求書中公布了:1.一種工藝偏差檢測電路,其特征在于,所述工藝偏差檢測電路設置在芯片中,包括: 第一環形振蕩器,所述第一環形振蕩器的相鄰兩個反相器之間均設置有第一數量的預設種類的輔助元件; 第二環形振蕩器,所述第二環形振蕩器的相鄰兩個反相器之間均設置有第二數量的所述預設種類的輔助元件,所述第二數量大于所述第一數量; 所述第一環形振蕩器的反相器的數量、晶體管的種類和尺寸與所述第二環形振蕩器的反相器的數量、晶體管的種類和尺寸相同,所述輔助元件的種類和連接方式與所述芯片的待測元件參數對應; 所述待測元件參數包括晶體管柵極電容,所述預設種類的輔助元件為負載反相器,所述第一環形振蕩器的每個反相器的輸出端均連接第一數量個所述負載反相器的輸入端,所述第二環形振蕩器的每個反相器的輸出端均連接第二數量個所述負載反相器的輸入端,每個所述負載反相器的輸出端均浮空。
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