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龍圖騰網(wǎng)獲悉鎧俠股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114122140B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110108855.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/67；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置是由河合宏樹;片岡淳司;池田圭司設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-01-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體裝置在說明書摘要公布了：實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1具備氧化物半導(dǎo)體層5。氧化物半導(dǎo)體層5具備金屬氧化物，該金屬氧化物包含選自由銦及錫所組成的群中的至少1個第1金屬元素、及選自由鋅、鎵、鋁、鎢、及硅所組成的群中的至少1個第2金屬元素。氧化物半導(dǎo)體層5具備第1區(qū)域，該第1區(qū)域在相對于金屬氧化物為1原子％以上且小于8原子％的范圍內(nèi)含有選自由氟及氯所組成的群中的至少1個陰離子元素。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，具備： 氧化物半導(dǎo)體層，沿第1方向延伸，且具備第1端部及與該第1端部為相反側(cè)的第2端部； 第1電極，包圍所述氧化物半導(dǎo)體層的外周面； 絕緣膜，設(shè)置在所述第1電極與所述氧化物半導(dǎo)體層的所述外周面之間； 第2電極，與所述氧化物半導(dǎo)體層的所述第1端部電連接； 第3電極，與所述氧化物半導(dǎo)體層的所述第2端部電連接；及 絕緣體，沿所述第1方向延伸，且被所述氧化物半導(dǎo)體層包圍； 所述氧化物半導(dǎo)體層具備金屬氧化物，該金屬氧化物包含選自由銦及錫所組成的群中的至少1個第1元素、及選自由鋅、鎵、鋁、鎢及硅所組成的群中的至少1個第2元素， 所述氧化物半導(dǎo)體層具備第1區(qū)域，該第1區(qū)域在相對于所述金屬氧化物為1原子％以上且小于8原子％的范圍內(nèi)含有選自由氟及氯所組成的群中的至少1個第3元素，且 所述絕緣體含有選自由氟及氯所組成的群中的至少1個元素。

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