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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司申請的專利用于3D芯片的芯片單元、芯片組件和3D芯片獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114823603B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110130017.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/498；該發(fā)明授權(quán)用于3D芯片的芯片單元、芯片組件和3D芯片是由李曉駿設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-01-29向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本用于3D芯片的芯片單元、芯片組件和3D芯片在說明書摘要公布了：本申請實(shí)施例提供了一種用于3D芯片的芯片單元、芯片組件和3D芯片，其中，芯片單元包括：襯底層；金屬層，金屬層包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面，金屬層的第二表面設(shè)置在襯底層上；金屬層穿孔組件，設(shè)置在金屬層內(nèi)，金屬層穿孔組件包括：第一導(dǎo)體件、第二導(dǎo)體件和導(dǎo)體連接孔，第一導(dǎo)體件形成于金屬層的第一表面，第二導(dǎo)體件形成于金屬層的第二表面，導(dǎo)體連接孔形成于金屬層內(nèi)，第二導(dǎo)體件通過導(dǎo)體連接孔連接于第一導(dǎo)體件，以使信號能夠通過襯底層傳輸至第一表面；襯底通孔，開設(shè)在襯底層上，連通于第二導(dǎo)體件。該芯片單元降低了刻蝕的工藝難度，降低了占用金屬層的面積，降低了電阻寄生參數(shù)和電容寄生參數(shù)，縮短了芯片單元的制備周期，降低了生產(chǎn)成本。

本發(fā)明授權(quán)用于3D芯片的芯片單元、芯片組件和3D芯片在權(quán)利要求書中公布了：1.一種用于3D芯片的芯片單元，其特征在于，包括： 襯底層； 金屬層，所述金屬層包括相對設(shè)置的第一表面和第二表面，所述金屬層的所述第二表面設(shè)置在所述襯底層上； 金屬層穿孔組件，設(shè)置在所述金屬層內(nèi)，所述金屬層穿孔組件包括：第一導(dǎo)體件、第二導(dǎo)體件和導(dǎo)體連接孔，所述第一導(dǎo)體件形成于所述金屬層的第一表面，所述第二導(dǎo)體件形成于所述金屬層的第二表面，所述導(dǎo)體連接孔形成于所述金屬層內(nèi)，所述第二導(dǎo)體件通過所述導(dǎo)體連接孔連接于所述第一導(dǎo)體件，以使信號能夠通過所述襯底層傳輸至所述第一表面； 襯底通孔，開設(shè)在所述襯底層上，連通于所述第二導(dǎo)體件； 片內(nèi)導(dǎo)體件，位于所述第一導(dǎo)體件和所述第二導(dǎo)體件之間； 其中，所述導(dǎo)體連接孔為多個(gè)，所述第二導(dǎo)體件通過多個(gè)所述導(dǎo)體連接孔中的部分所述導(dǎo)體連接孔連接于所述片內(nèi)導(dǎo)體件，所述片內(nèi)導(dǎo)體件通過多個(gè)所述導(dǎo)體連接孔中的部分所述導(dǎo)體連接孔連接于第一導(dǎo)體件； 所述導(dǎo)體連接孔為柱狀，所述導(dǎo)體連接孔包括通孔和連接柱，所述通孔開設(shè)在所述金屬層，所述連接柱為填充在所述通孔內(nèi)的金屬柱，所述第一導(dǎo)體件和所述片內(nèi)導(dǎo)體件通過所述金屬柱連接，所述第二導(dǎo)體件和所述片內(nèi)導(dǎo)體件通過所述金屬柱連接，相鄰的所述片內(nèi)導(dǎo)體件通過所述金屬柱連接； 襯底導(dǎo)體件，設(shè)置在所述襯底層內(nèi)； 所述襯底通孔包括底部通孔和中間連接孔，所述底部通孔開設(shè)在所述襯底的底部，連通于所述襯底導(dǎo)體件，所述中間連接孔位于所述襯底導(dǎo)體件和所述第二導(dǎo)體件之間，所述襯底導(dǎo)體件通過所述中間連接孔連通于所述第二導(dǎo)體件，所述襯底通孔沿襯底高度方向的截面為梯形，所述梯形的短邊位于所述襯底層靠近所述金屬層的一側(cè)，所述梯形的長邊位于所述襯底層遠(yuǎn)離所述金屬層的一側(cè)，其中，導(dǎo)體介質(zhì)層填充在所述底部通孔內(nèi)； 所述片內(nèi)導(dǎo)體件為多個(gè)，多個(gè)所述片內(nèi)導(dǎo)體件間隔設(shè)置在所述第一導(dǎo)體件和所述第二導(dǎo)體件之間，相鄰的所述片內(nèi)導(dǎo)體件通過多個(gè)所述導(dǎo)體連接孔中的部分所述導(dǎo)體連接孔連接，所述導(dǎo)體連接孔的數(shù)量與所述導(dǎo)體連接件的數(shù)量的差值為1； 散熱層，所述散熱層覆蓋在所述散熱介質(zhì)層上，所述散熱層的橫截面積大于所述導(dǎo)體介質(zhì)填充層的面積。

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