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龍圖騰網(wǎng)獲悉亮銳有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專(zhuān)利具有包括電流擴(kuò)散層的多層復(fù)合膜的發(fā)光二極管器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115191032B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202180020191.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L25/075；該發(fā)明授權(quán)具有包括電流擴(kuò)散層的多層復(fù)合膜的發(fā)光二極管器件是由E·W·楊;R·沙馬;D·斯科特設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-03-08向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本具有包括電流擴(kuò)散層的多層復(fù)合膜的發(fā)光二極管器件在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：描述了發(fā)光二極管（LED）器件，其包括：限定像素的多個(gè)臺(tái)面，每個(gè)臺(tái)面包括半導(dǎo)體層；在多個(gè)臺(tái)面中的每一個(gè)之間的空間中的n接觸材料；將p型層和有源區(qū)的側(cè)壁與金屬絕緣的電介質(zhì)材料。多層復(fù)合膜在p型層上，該多層復(fù)合膜包括：在p型層上的電流擴(kuò)散層，該電流擴(kuò)散層具有第一部分和第二部分；電流擴(kuò)散層的第二部分上的電介質(zhì)層；由電介質(zhì)層和電流擴(kuò)散層的第一部分中的側(cè)壁限定的通孔開(kāi)口；以及在電流擴(kuò)散層的第一部分、電介質(zhì)層中的側(cè)壁、和電介質(zhì)層的至少一部分上的通孔開(kāi)口中的p接觸層。

本發(fā)明授權(quán)具有包括電流擴(kuò)散層的多層復(fù)合膜的發(fā)光二極管器件在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種發(fā)光二極管LED器件，包括： 限定像素的多個(gè)臺(tái)面，每個(gè)臺(tái)面包括半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層包括n型層、有源區(qū)和p型層，每個(gè)臺(tái)面的高度小于或等于其寬度； 在每個(gè)臺(tái)面之間的空間中的n接觸材料，所述n接觸材料提供在每個(gè)臺(tái)面之間的光學(xué)隔離、并且沿著所述n型層的側(cè)壁電接觸每個(gè)臺(tái)面的n型層； 電介質(zhì)材料，所述電介質(zhì)材料將所述p型層和所述有源區(qū)的側(cè)壁與所述n接觸材料絕緣； 在所述p型層上的多層復(fù)合膜，所述多層復(fù)合膜包括：在所述p型層上的電流擴(kuò)散層，所述電流擴(kuò)散層具有第一部分和第二部分；在所述電流擴(kuò)散層的第二部分上的電介質(zhì)層；由所述電介質(zhì)層和所述電流擴(kuò)散層的第一部分中的側(cè)壁限定的通孔開(kāi)口；在所述電流擴(kuò)散層的第一部分、所述電介質(zhì)層中的側(cè)壁、和所述電介質(zhì)層的至少一部分上的所述通孔開(kāi)口中的p接觸層；以及覆蓋p接觸層的保護(hù)層，所述保護(hù)層在通孔開(kāi)口中并且在電流擴(kuò)散層的第二部分上的電介質(zhì)層上方；和 在硬掩模開(kāi)口中、在通孔開(kāi)口中的保護(hù)層的一部分上方的p金屬材料塞，以及與p金屬材料塞接觸的凸塊下金屬化層。

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