臺灣積體電路制造股份有限公司陳憲偉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法和制造半導體結構的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113517220B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110307241.0，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體器件及其制造方法和制造半導體結構的方法是由陳憲偉;陳潔;陳明發設計研發完成，并于2021-03-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制造方法和制造半導體結構的方法在說明書摘要公布了：半導體器件包括位于電路上方的第一鈍化層和位于第一鈍化層上方的導電焊盤，其中，導電焊盤電連接至電路。第二鈍化層設置在導電焊盤和第一鈍化層上方，并且具有第一開口和第二開口。第一開口暴露在導電焊盤下面延伸的層的上表面，并且第二開口暴露導電焊盤。第一絕緣層設置在第二鈍化層上方并填充第一開口和第二開口。襯底通孔延伸穿過絕緣層、第二鈍化層、鈍化層和襯底。襯底通孔和第二鈍化層的側具有填充有第一絕緣層的間隙。導電通孔延伸穿過第一絕緣層并連接至導電焊盤。本申請的實施例還涉及制造半導體結構和半導體器件的方法。
本發明授權半導體器件及其制造方法和制造半導體結構的方法在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體器件的方法，包括： 提供半導體襯底； 在所述半導體襯底上方形成導電焊盤； 在所述導電焊盤上方形成鈍化層； 在所述鈍化層中形成第一開口，并且在所述鈍化層中形成第二開口，其中，所述第二開口暴露所述導電焊盤，并且其中，所述第一開口與所述導電焊盤間隔開且在所述第二開口外部，并且所述第一開口暴露在所述導電焊盤下面延伸且與所述導電焊盤物理接觸的層的上表面； 在所述第一開口中形成第一導電通孔，其中，所述第一導電通孔延伸至所述半導體襯底中；以及 在所述第二開口中形成第二導電通孔，其中，所述第二導電通孔連接至所述導電焊盤。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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