廈門三安光電有限公司葉大千獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廈門三安光電有限公司申請的專利一種外延結構和發光二極管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115377262B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211048309.9，技術領域涉及：H10H20/816；該發明授權一種外延結構和發光二極管是由葉大千設計研發完成，并于2021-07-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種外延結構和發光二極管在說明書摘要公布了：本申請公開一種外延結構和發光二極管，包括n型層、p型層和有源層，有源層包括In的具有第一峰形的第一濃度輪廓；重摻雜層位于n型層和有源層之間，且包括Si的具有第二峰形的第二濃度輪廓；電流擴展層位于重摻雜層和有源層之間，且包括In的具有第三峰形的第三濃度輪廓；第三峰形的峰頂與第一峰形的峰頂的最小距離為D1，第三峰形的峰頂與第二峰形的峰頂的最小距離為D2，且D1與D2的比值小于1:7。電流擴展層盡可能接近有源層并在受到靜電沖擊時有效引導沖擊電流，保護有源層不易被靜電擊穿；同時，電流擴展層與重摻雜層之間的區域為電子存儲區，在受到靜電沖擊時可降低外延結構被靜電擊穿的風險，從而提升外延結構和發光二極管的抗靜電能力。
本發明授權一種外延結構和發光二極管在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管，其特征在于，包括： n型層、p型層和位于兩者之間的有源層，所述有源層包括In的第一濃度輪廓，所述第一濃度輪廓包括若干個第一峰形； 電流擴展層，位于所述n型層和有源層之間，且包括In的第三濃度輪廓，所述第三濃度輪廓包括若干個第三峰形，所述第三峰形的峰頂與所述第一峰形的峰頂的最小距離為D1，其中D1小于20nm； 第一中間層，位于所述電流擴展層與有源層之間； 重摻雜層，位于所述n型層和電流擴展層之間，且包括Si的第二濃度輪廓，第二濃度輪廓包括第二峰形，第三峰形的峰頂與第二峰形的峰頂的最小距離為D2，其中D2大于150nm； 低摻雜層，位于所述n型層與重摻雜層之間； 所述電流擴展層和重摻雜層之間包括有第二中間層，所述第二中間層的厚度小于所述第三峰形的峰頂與所述第二峰形的峰頂的最小距離D2。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門三安光電有限公司，其通訊地址為：361100 福建省廈門市同安區洪塘鎮鎮民安大道841-899號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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