長江存儲科技有限責任公司吳林春獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長江存儲科技有限責任公司申請的專利半導體器件及其制備方法、三維存儲器、電子設備獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114023752B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111274574.4,技術領域涉及:H10B41/35;該發明授權半導體器件及其制備方法、三維存儲器、電子設備是由吳林春;張坤;周文犀設計研發完成,并于2021-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其制備方法、三維存儲器、電子設備在說明書摘要公布了:本公開提供了一種半導體器件及其制備方法、三維存儲器、電子設備,涉及半導體芯片技術領域,旨在解決過度刻蝕導致的不同柵極層中柵線短接的問題。半導體器件包括疊層結構,導電墊,耦接部和沿第一方向延伸的第一柵線觸點。疊層結構具有臺階區,包括沿第一方向交替疊置的多條柵線和多個絕緣層,多條柵線包括第一柵線;多個絕緣層包括第一絕緣層,第一絕緣層位于第一柵線沿第一方向的一側且與第一柵線接觸。在臺階區,導電墊位于第一柵線沿第一方向的一側,且通過第一絕緣層與第一柵線隔開。耦接部被配置為使所述導電部和所述第一柵線耦接。第一柵線觸點與導電墊位于第一柵線的同一側,且與導電墊連接。
本發明授權半導體器件及其制備方法、三維存儲器、電子設備在權利要求書中公布了:1.一種半導體器件,其特征在于,包括: 疊層結構,具有臺階區,所述疊層結構包括沿第一方向交替疊置的多條柵線和多個絕緣層,所述多條柵線包括第一柵線;所述多個絕緣層包括第一絕緣層,所述第一絕緣層位于所述第一柵線沿所述第一方向的一側且與所述第一柵線接觸; 導電部,在所述臺階區,所述導電部位于所述第一柵線沿所述第一方向的一側,且通過所述第一絕緣層與所述第一柵線隔開; 耦接部,被配置為使所述導電部和所述第一柵線耦接; 沿所述第一方向延伸的第一柵線觸點,與所述導電部位于所述第一柵線的同一側,且與所述導電部連接。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人長江存儲科技有限責任公司,其通訊地址為:430000 湖北省武漢市東湖新技術開發區未來三路88號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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