上海華力微電子有限公司焦爽獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海華力微電子有限公司申請的專利一種高壓器件的柵氧層及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114005746B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111276185.5，技術領域涉及：H01L21/28；該發明授權一種高壓器件的柵氧層及其制造方法是由焦爽;秋沉沉;錢俊設計研發完成，并于2021-10-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高壓器件的柵氧層及其制造方法在說明書摘要公布了：一種高壓器件的柵氧層之制造方法，包括：提供硅基襯底，并在硅基襯底上沉積墊層氧化硅；在硅基襯底上設置有源區；在有源區設置高壓柵氧區，并去除墊層氧化硅；在高壓柵氧區通過常壓擴散爐管工藝生長第一柵氧層；對第一柵氧層進行表面雜質清洗；在經過表面雜質清洗后的第一柵氧層上通過高溫氧化膜工藝生長第二柵氧層。本發明高溫器件的柵氧層經過兩次熱處理工藝，增加了柵氧層的厚度，使缺陷線在所述第二柵氧層和所述第一柵氧層中隨機排布，無法擴散到呈縱向疊置的復合結構之柵氧層，進而避免了所述第二柵氧層之上表面與所述第一柵氧層之下表面形成漏電通路問題，提高了柵氧層的可靠性，增強了高壓器件的耐壓性33.3％。
本發明授權一種高壓器件的柵氧層及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種高壓器件的柵氧層之制造方法，其特征在于，所述高壓器件的柵氧層之制造方法，包括： 執行步驟S1：提供硅基襯底，并在所述硅基襯底上沉積墊層氧化硅； 執行步驟S2：在所述硅基襯底上設置有源區，且所述有源區通過淺溝槽隔離結構進行隔離； 執行步驟S3：在所述有源區設置高壓柵氧區，并去除墊層氧化硅； 執行步驟S4：在所述高壓柵氧區通過常壓擴散爐管工藝生長第一柵氧層； 執行步驟S5：對所述第一柵氧層進行表面雜質清洗； 執行步驟S6：在經過表面雜質清洗后的第一柵氧層上進一步通過高溫氧化膜工藝生長第二柵氧層； 所述第一柵氧層的生長速度大于所述第二柵氧層的生長速度，所述第一柵氧層的厚度大于所述第二柵氧層的厚度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華力微電子有限公司，其通訊地址為：201315 上海市浦東新區良騰路6號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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