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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請(qǐng)的專利OPC建模量測(cè)圖形數(shù)據(jù)選擇方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114077157B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111426254.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G03F1/36；該發(fā)明授權(quán)OPC建模量測(cè)圖形數(shù)據(jù)選擇方法是由張?jiān)掠?汪悅設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-11-26向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本OPC建模量測(cè)圖形數(shù)據(jù)選擇方法在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種OPC建模量測(cè)圖形數(shù)據(jù)選擇方法。方法包括：提供對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體器件特定層的掩模版數(shù)據(jù)文件和OPC初始模型；從掩模版數(shù)據(jù)文件中，選取實(shí)際特征尺寸屬于第一特征尺寸范圍的掩模圖形作為測(cè)試圖形，所有測(cè)試圖形形成測(cè)試圖形集；第一特征尺寸包括半導(dǎo)體特定器件層的最小設(shè)計(jì)特征尺寸；使用測(cè)試圖形集優(yōu)化OPC初始模型，生成第一OPC模型；基于第一OPC模型，對(duì)測(cè)試圖形集中的每個(gè)測(cè)試圖形進(jìn)行模擬，確定測(cè)試圖形集中的有效測(cè)試圖形集；刪除掩模版數(shù)據(jù)文件中，實(shí)際特征尺寸小于最小有效測(cè)試圖形的實(shí)際特征尺寸的掩模圖形，使得剩余掩模圖形作為OPC建模的量測(cè)圖形數(shù)據(jù)。

本發(fā)明授權(quán)OPC建模量測(cè)圖形數(shù)據(jù)選擇方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種OPC建模量測(cè)圖形數(shù)據(jù)選擇方法，其特征在于，所述OPC建模量測(cè)圖形數(shù)據(jù)選擇方法包括依次進(jìn)行的以下步驟： 提供對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體器件特定層的掩模版數(shù)據(jù)文件和OPC初始模型；所述OPC初始模型，依據(jù)對(duì)應(yīng)所述半導(dǎo)體器件特定層的光學(xué)系統(tǒng)參數(shù)，預(yù)先建立； 從所述掩模版數(shù)據(jù)文件中，選取實(shí)際特征尺寸屬于第一特征尺寸范圍的掩模圖形作為測(cè)試圖形，所有測(cè)試圖形形成測(cè)試圖形集；所述第一特征尺寸包括所述半導(dǎo)體器件特定層的最小設(shè)計(jì)特征尺寸； 使用所述測(cè)試圖形集優(yōu)化所述OPC初始模型，生成第一OPC模型； 基于所述第一OPC模型，對(duì)所述測(cè)試圖形集中的每個(gè)所述測(cè)試圖形進(jìn)行模擬，確定所述測(cè)試圖形集中的有效測(cè)試圖形集； 刪除所述掩模版數(shù)據(jù)文件中，實(shí)際特征尺寸小于最小有效測(cè)試圖形的實(shí)際特征尺寸的掩模圖形，使得剩余掩模圖形作為OPC建模的量測(cè)圖形數(shù)據(jù)。

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