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龍圖騰網獲悉北京時代民芯科技有限公司;北京微電子技術研究所申請的專利一種預估器件在軌單粒子翻轉率參考區間的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114417683B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111546918.2，技術領域涉及：G06F30/25；該發明授權一種預估器件在軌單粒子翻轉率參考區間的方法是由李哲;畢瀟;陳雷;王煌偉;武永俊;緱純良;王亮;鄭宏超;張健鵬;徐雷霈;張栩椉;董濤設計研發完成，并于2021-12-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種預估器件在軌單粒子翻轉率參考區間的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種預估器件在軌單粒子翻轉率參考區間的方法，該方法通過開展地面重離子輻照試驗，獲取器件單粒子翻轉截面σ和入射離子參數LET的試驗數據；對單粒子翻轉飽和截面σsat、單粒子翻轉LET閾值LETth、器件敏感區深度d、器件器件漏斗長度F等參數的區間范圍進行預估；在預估范圍內對每一個參數進行調節，利用威布爾曲線進行擬合，采用蒙卡仿真工具開展仿真獲取在軌單粒子翻轉率；最終獲取每一個參數與在軌翻轉率平均優值的變化關系，從而確定器件在軌單粒子翻轉率的參考區間；該方法能夠獲取器件，尤其是商用器件的在軌單粒子翻轉率的參考區間，有效指導宇航器件的選型。

本發明授權一種預估器件在軌單粒子翻轉率參考區間的方法在權利要求書中公布了：1.一種預估器件在軌單粒子翻轉率參考區間的方法，其特征在于包括下列步驟： 步驟1開展地面重離子輻照試驗，獲取器件單粒子翻轉截面σ和入射離子參數LET的試驗數據； 步驟2預估單粒子翻轉飽和截面σsat、單粒子翻轉LET閾值LETth、器件敏感區深度d、器件漏斗長度F的區間范圍； 步驟3在預估范圍內對每一個參數進行調節，采用恰當的估計方法對單粒子威布爾曲線進行擬合，最終采用蒙卡仿真工具開展仿真，獲取空間條件下器件的單粒子在軌翻轉率及在軌翻轉率平均優值； 步驟4獲取每一個參數變化與在軌翻轉率平均優值的關系，從而確定器件在軌單粒子翻轉率參考區間； 所述步驟3的具體實現步驟為： 步驟3.1對單粒子翻轉飽和截面、單粒子翻轉LET閾值在預估范圍內進行調節，利用最小二乘法開展威布爾擬合獲取單粒子威布爾曲線參數； 單粒子威布爾曲線具體形式為： σLET＝σsat1－exp{－[LET－LETthW]S} σLET表示LET值下的單粒子翻轉截面，W表示威布爾曲線的寬度參數，S表示威布爾曲線的形狀參數； 對上式兩邊取2次自然對數處理后得到， lnLET－LETth＝1S×ln{ln[σsatσsat－σLET]}+lnW 于是變成了線性方程y＝mx+b,其中 y＝lnLET－LETth m＝1S x＝ln{ln[σsatσsat－σLET]} b＝lnW 根據最小二乘法進行線性回歸分析，求出線性方程中的斜率m值和截距b值，那么便求出了威布爾曲線的寬度參數W以及形狀參數S； 步驟3.2對敏感區深度和器件漏斗長度在預估范圍內進行調節，結合獲取的單粒子威布爾曲線的參數，獲取蒙卡仿真所需全部參數； 步驟3.3在蒙卡仿真工具中進行仿真，獲取空間條件下的單粒子在軌翻轉率。

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