華虹半導體(無錫)有限公司梁金娥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華虹半導體(無錫)有限公司申請的專利半導體結構的形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114284136B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111554731.7，技術領域涉及：H01L21/265；該發明授權半導體結構的形成方法是由梁金娥;馮秦旭;林建樹;邢中豪設計研發完成，并于2021-12-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構的形成方法，包括：提供襯底；在襯底上形成犧牲結構；在所述犧牲結構側壁表面和頂部表面形成隔離介質層；在所述襯底上形成第一外延層，所述第一外延層暴露出部分所述隔離介質層的頂部及側壁表面，且在暴露出的所述隔離介質層表面形成第二外延層；對所述第一外延層以及第二外延層進行改性處理，在所述第一外延層的表面形成第一犧牲層，并將所述第二外延層轉化為第二犧牲層；在形成第一犧牲層以及第二犧牲層后，對所述第一外延層進行離子注入；對所述第一外延層進行離子注入后，去除所述第一犧牲層、第二犧牲層以及隔離介質層。所述半導體結構的形成方法提升了器件的電學性能。
本發明授權半導體結構的形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底； 在襯底上形成犧牲結構； 在所述犧牲結構側壁表面和頂部表面形成隔離介質層，所述隔離介質層的材料包括氮化硅； 在所述襯底上形成第一外延層，所述第一外延層暴露出部分所述隔離介質層的頂部及側壁表面，且在暴露出的所述隔離介質層表面形成第二外延層； 對所述第一外延層以及第二外延層進行改性處理，在所述第一外延層的表面形成第一犧牲層，并將所述第二外延層轉化為第二犧牲層，對所述第一外延層以及第二外延層進行改性處理的方法包括氧化處理或氮化處理； 在形成第一犧牲層以及第二犧牲層后，對所述第一外延層進行離子注入； 對所述第一外延層進行離子注入后，去除所述第一犧牲層、第二犧牲層以及隔離介質層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華虹半導體(無錫)有限公司，其通訊地址為：214028 江蘇省無錫市新吳區新洲路30號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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