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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海電力大學(xué)申請的專利一種抗光腐蝕納米棒陣列光陽極及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116375355B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111608810.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C03C17/34；該發(fā)明授權(quán)一種抗光腐蝕納米棒陣列光陽極及其制備方法是由王娟;秦依末設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種抗光腐蝕納米棒陣列光陽極及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明通過將二維材料MXene的技術(shù)與半導(dǎo)體材料技術(shù)結(jié)合，得到一種新的抗光腐蝕納米棒陣列光陽極材料，該材料能夠提高光生載流子傳輸速率、抑制載流子重組，提升光電性能。具體地，本發(fā)明提供了一種新型抗光腐蝕納米棒陣列光陽極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：步驟S1，制備生長有CdS納米棒陣列的氧化銦錫導(dǎo)電玻璃；步驟S2，制備少層Nb2C納米片層；步驟S3，采用CdS納米棒陣列和少層Nb2C納米片層制備Nb2C納米片CdS納米棒復(fù)合光陽極作為新型抗光腐蝕納米棒陣列光陽極。

本發(fā)明授權(quán)一種抗光腐蝕納米棒陣列光陽極及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種抗光腐蝕納米棒陣列光陽極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟S1，制備生長有CdS納米棒陣列的氧化銦錫導(dǎo)電玻璃； 步驟S2，制備少層Nb2C納米片層； 步驟S3，采用生長有所述CdS納米棒陣列的所述氧化銦錫導(dǎo)電玻璃和所述少層Nb2C納米片層制備Nb2C納米片CdS納米棒復(fù)合光陽極作為所述抗光腐蝕納米棒陣列光陽極， 其中，步驟S3包括： 步驟S3-1，將所述少層Nb2C納米片層超聲分散于乙醇中形成少層Nb2C納米片層分散液； 步驟S3-2，取預(yù)定量的所述少層Nb2C納米片層分散液滴于生長有所述CdS納米棒陣列的所述氧化銦錫導(dǎo)電玻璃上，自然干燥成膜，得到所述Nb2C納米片CdS納米棒復(fù)合光陽極。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海電力大學(xué)，其通訊地址為：201306 上海市浦東新區(qū)滬城環(huán)路1851號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。