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龍圖騰網(wǎng)獲悉山東華光光電子股份有限公司申請的專利一種具有GaN電流通道的GaAs基激光器外延片及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114566868B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210127574.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/22；該發(fā)明授權(quán)一種具有GaN電流通道的GaAs基激光器外延片及其制備方法是由趙凱迪;張新;王朝旺設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-02-11向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種具有GaN電流通道的GaAs基激光器外延片及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種具有GaN電流通道的GaAs基激光器外延片及其制備方法。所述GaN電流通道埋設(shè)在該外延片中的Alx3Ga1?x3As上波導(dǎo)層中。通過在上波導(dǎo)層中埋入GaN電流通道，將電流限制在GaN電流通道中實(shí)現(xiàn)電流約束，因?yàn)镚aN材料禁帶寬度大，對于長波長的光吸收很低，不會影響長波長激光器的激射，有效克服了GaN激光器存在長時(shí)間工作會導(dǎo)致功率衰減嚴(yán)重的問題。另外，由于GaN材料的偏振系數(shù)與AlGaAs材料不同，在上波導(dǎo)層中埋入GaN電流通道后，能夠在GaNAlGaAs界面處形成一層正的極化電荷吸引自由電子形成補(bǔ)償，與激光器的內(nèi)建電場形成抵消，有利于空穴與電子在量子阱中的復(fù)合，提升激光器效率。

本發(fā)明授權(quán)一種具有GaN電流通道的GaAs基激光器外延片及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有GaN電流通道的GaAs基激光器外延片，其特征在于，包括GaN電流通道，且該GaN電流通道埋設(shè)在所述外延片中的上波導(dǎo)層中；所述上波導(dǎo)層設(shè)置在襯底層上；所述襯底層從下到上依次包括：GaAs襯底、GaAs緩沖層、Alx1Ga1-x1AsN限制層、Alx2Ga1-x2As下波導(dǎo)層、Iny1Ga1-y1As量子阱層；所述上波導(dǎo)層覆蓋在Iny1Ga1-y1As量子阱層上，所述上波導(dǎo)層上覆蓋有Alx4Ga1-x4AsP限制層，所述Alx4Ga1-x4AsP限制層上覆蓋有GaAs歐姆接觸層；其中：0.3≤x1≤0.5，0.1≤x2≤0.3，0.1≤y1≤0.3，0.7≤x4≤0.9。

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