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龍圖騰網(wǎng)獲悉虎翅凌云集成電路制造有限責(zé)任公司申請(qǐng)的專利磷化銦雙異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114864682B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210387714.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D10/80；該發(fā)明授權(quán)磷化銦雙異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管是由王悅設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-04-14向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本磷化銦雙異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及一種磷化銦雙異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明公開(kāi)的磷化銦雙異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管結(jié)構(gòu)，在磷化銦襯底上采用應(yīng)變銦砷磷過(guò)渡區(qū)消除了銦鎵砷基區(qū)與磷化銦集電區(qū)之間的導(dǎo)帶勢(shì)壘，構(gòu)建出無(wú)電子阻擋效應(yīng)的雙異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，提升了所述晶體管在頻率、增益與擊穿電壓方面的電學(xué)性能。

本發(fā)明授權(quán)磷化銦雙異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種雙異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，其特征在于，包括： 單晶磷化銦襯底，由單晶半絕緣磷化銦材料形成； 亞集電區(qū)，設(shè)置在所述單晶磷化銦襯底之上，由N型III-V族半導(dǎo)體形成； 集電區(qū)，設(shè)置在所述亞集電區(qū)之上，由N型III-V族半導(dǎo)體形成； 基區(qū)，設(shè)置在所述集電區(qū)之上，由P型銦鎵砷半導(dǎo)體形成； 發(fā)射區(qū)，設(shè)置在所述基區(qū)之上，由N型III-V族半導(dǎo)體形成； 歐姆接觸層，設(shè)置在所述發(fā)射區(qū)之上，由N型III-V族半導(dǎo)體形成； 所述集電區(qū)采用三種N型III-V族半導(dǎo)體材料形成復(fù)合集電區(qū)，其材料組份按照銦鎵砷層、應(yīng)變銦砷磷層、磷化銦層的順序依次設(shè)置，所述銦鎵砷層臨近所述基區(qū)，所述磷化銦層臨近所述亞集電區(qū)，所述應(yīng)變銦砷磷層設(shè)置在所述銦鎵砷層與所述磷化銦層中間。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人虎翅凌云集成電路制造有限責(zé)任公司，其通訊地址為：200000 上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)環(huán)湖西二路888號(hào)C樓；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。