買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉昆明物理研究所申請的專利一種Bi₂Te₃/PbS量子點雜化光電探測器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115411185B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210942569.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K30/35；該發(fā)明授權(quán)一種Bi₂Te₃/PbS量子點雜化光電探測器及其制備方法是由余黎靜;唐利斌;田品;郝群;鐘和甫;左文彬;岳彪;王海澎;姬玉龍;李紅福;魏虹;普躍升;鐘昇佑;毛文彪設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-08-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種Bi₂Te₃/PbS量子點雜化光電探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：一種Bi2Te3PbS量子點雜化光電探測器及其制備方法，探測器包括襯底、ITO透明電極層形成于所述襯底上；PCBM功能層，形成于ITO透明電極層上；PbS膠體量子點，形成于PCBM功能層上；碲化鉍（Bi2Te3）電荷傳輸層，形成于PbS膠體量子點上；Al電極，形成于Bi2Te3電荷傳輸層上。該探測器的制備方法中，PCBM功能層通過旋涂的方法實現(xiàn)，PbS膠體量子點薄膜通過多次旋涂和配體交換的方式實現(xiàn)，碲化鉍（Bi2Te3）通過磁控濺射的方法生長，Al電極層通過真空蒸鍍的方法實現(xiàn)。本發(fā)明公布的器件結(jié)構(gòu)為垂直型，本發(fā)明利用PbS膠體量子點薄膜層的高吸收和Bi2Te3薄膜的高載流子遷移率，二者的結(jié)合有利于光生載流子的收集和載流子的快速傳輸，從而有效的提升器件的響應(yīng)時間和性能。

本發(fā)明授權(quán)一種Bi₂Te₃/PbS量子點雜化光電探測器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種Bi2Te3PbS量子點雜化光電探測器制備方法，包括以下步驟： 步驟1，已制備ITO透明電極的石英襯底清洗； 步驟2，將PCBM以100mgml的濃度充分溶解到三氯甲烷中，在清洗好的ITO襯底上，旋涂一層PCBM溶液； 旋涂轉(zhuǎn)速2000-2500rpm，旋涂時間為25-35s； 步驟3，在旋涂完P(guān)CBM的襯底上，旋涂PbS量子點，PbS量子點的溶劑為正辛烷，濃度為30mgmL；旋涂PbS量子點8-10層，每旋涂完一層量子點，進行TBAI配體交換，交換時間為60s，交換完后用甲醇進行清洗； 每層旋涂轉(zhuǎn)速為2000-2500rpm，旋涂時間為為25-35s； 步驟4，在PbS量子點薄膜上磁控濺射一層Bi2Te3薄膜，濺射在室溫下進行，濺射功率為150-200W、Ar流量為60-100sccm，濺射壓強為3-10Pa，而濺射時間選擇1-5s； 步驟5，Bi2Te3薄膜上鍍膜生長一層Al電極。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人昆明物理研究所，其通訊地址為：650000 云南省昆明市五華區(qū)教場東路31號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。