中國科學院半導體研究所李麗艷獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰,真高效! 查專利查商標用IPTOP,全免費!專利年費監控用IP管家,真方便!
龍圖騰網獲悉中國科學院半導體研究所申請的專利基于漫反射激光外差相干的原位密度測量裝置及方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115326637B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211075809.1,技術領域涉及:G01N9/24;該發明授權基于漫反射激光外差相干的原位密度測量裝置及方法是由李麗艷;周燕;范松濤設計研發完成,并于2022-09-02向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于漫反射激光外差相干的原位密度測量裝置及方法在說明書摘要公布了:本公開提供了一種基于漫反射激光外差相干的原位密度測量裝置和方法,該裝置包括:激光器,用于產生探測激光;外差相干模塊,設于激光器之后,用于將探測激光分為測量光和參考光,使測量光穿過透射式漫反射介質密度測量模塊探測待測介質,測量光的返回光與參考光發生干涉,產生干涉光信號,解調干涉光信號,輸出待測介質的密度;透射式漫反射介質密度測量模塊,設于外差相關模塊之后,用于將測量光與待測介質耦合,并通過漫反射物體使測量光的返回光原路返回至外差相干模塊。該裝置和方法通過結合外差與漫反射物體作為探測光反射的方法,解決了現有干涉測量介質密度存在的問題,實現了大動態范圍、高精度下的介質密度原位測量。
本發明授權基于漫反射激光外差相干的原位密度測量裝置及方法在權利要求書中公布了:1.一種基于漫反射激光外差相干的原位密度測量裝置,其特征在于,包括: 激光器,用于產生探測激光; 外差相干模塊,設于所述激光器之后,用于將所述探測激光分為測量光和參考光,使所述測量光穿過透射式漫反射介質密度測量模塊探測待測介質,所述測量光的返回光與所述參考光發生干涉,產生干涉光信號,解調所述干涉光信號,輸出所述待測介質的密度; 其中,所述外差相干模塊包括: 第一偏振分光棱鏡,用于將所述探測激光分為測量光和參考光; 分光棱鏡,用于使所述測量光的返回光與所述參考光發生相干; 解調系統,用于解調所述干涉光信號,得到并輸出所述待測介質的密度; 外差調制器,設于所述第一偏振分光棱鏡和所述分光棱鏡之間,用于對所述參考光進行外差調制; 第二偏振分光棱鏡,設于所述第一偏振分光棱鏡和所述分光棱鏡之間,用于將所述測量光的返回光反射至所述分光棱鏡; 反射鏡,設于所述外差調制器與所述分光棱鏡之間,用于將所述參考光反射至所述分光棱鏡; 透射式漫反射介質密度測量模塊,設于所述外差相干模塊之后,用于將所述測量光與所述待測介質耦合,并通過漫反射物體使所述測量光的返回光原路返回至所述外差相干模塊; 其中,所述透射式漫反射介質密度測量模塊包括: 待測介質測量區,用于設置所述待測介質,其中,所述待測介質包括氣態、液態、氣液兩態介質,具有透射性; 漫反射物體,用于當所述測量光穿過所述待測介質測量區后,將所述測量光均勻反射形成原路返回的返回光。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院半導體研究所,其通訊地址為:100083 北京市海淀區清華東路甲35號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息,力求客觀、公正,但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解,僅供參考使用,不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。