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龍圖騰網獲悉西安交通大學;陜西半導體先導技術中心有限公司申請的專利一種MOSFET柵氧化層陷阱密度的檢測方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115642101B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211348843.1，技術領域涉及：H01L21/66；該發明授權一種MOSFET柵氧化層陷阱密度的檢測方法是由賀永寧;付祥和;蔡亞輝;趙小龍;彭文博;田鴻昌;何曉寧;朱權喆設計研發完成，并于2022-10-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種MOSFET柵氧化層陷阱密度的檢測方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種MOSFET柵氧化層陷阱密度的檢測方法，包括：1對MOSFET器件進行閾值電壓和柵氧化層電容測試；2對上述MOSFET進行電子束輻照處理，在不同的輻照劑量之后，測試器件的閾值電壓；3當器件閾值電壓不隨輻照劑量增加而變化時，不在進行輻照處理，并記錄最終的閾值電壓；4根據電子輻照處理前后MOSFET閾值電壓變化量計算得到柵氧化層固定電荷的變化量；5根據柵氧化層固定電荷的變化量和柵氧化層的面積計算得到柵氧化層陷阱密度。利用本發明，可以快速獲取MOSFET柵氧化層陷阱密度，用于分析器件性能和柵氧化層工藝改進，應用廣泛。

本發明授權一種MOSFET柵氧化層陷阱密度的檢測方法在權利要求書中公布了：1.一種MOSFET柵氧化層陷阱密度的檢測方法，其特征在于，包括以下步驟： 1對MOSFET器件進行閾值電壓和柵氧化層電容測試：a對器件進行轉移特性測試，取設定漏極電流對應的柵極電壓作為閾值電壓；b對器件進行CGS-VGS特性測試，獲得器件的柵氧化層電容； 2對MOSFET器件進行電子輻照處理，在不同的輻照劑量之后，測試器件的閾值電壓； 3當器件閾值電壓不隨輻照劑量增加而變化時，柵氧化層內陷阱捕獲電荷達到飽和，不再進行輻照處理，并記錄最終的閾值電壓，得到電子輻照處理后MOSFET閾值電壓變化量； 4根據電子輻照處理前后MOSFET閾值電壓變化量計算得到柵氧化層固定電荷量，柵氧化層固定電荷量由以下公式求得： Qt＝ΔVthCox 其中Qt為柵氧化層固定電荷量，△Vth為閾值電壓變化量，Cox為柵氧化層電容； 5根據柵氧化層固定電荷量和柵氧化層的面積計算得到柵氧化層固定電荷密度，計算公式如下： nt＝QtqSox 其中nt是柵氧化層固定電荷密度，Qt是柵氧化層固定電荷量，q是元電荷，Sox是柵氧化層的面積； 柵氧化層陷阱密度為： n＝ntmax 其中，n是柵氧化層陷阱密度，ntmax是柵氧化層陷阱完全填充電荷時固定電荷密度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安交通大學;陜西半導體先導技術中心有限公司，其通訊地址為：710048 陜西省西安市碑林區咸寧西路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。