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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所申請的專利一種超導(dǎo)集成電路器件的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115915908B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211405962.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N60/12；該發(fā)明授權(quán)一種超導(dǎo)集成電路器件的制備方法是由何桂香;應(yīng)利良;謝輝;彭煒;王鎮(zhèn)設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-11-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種超導(dǎo)集成電路器件的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種超導(dǎo)集成電路器件的制備方法，在形成第三絕緣材料層時(shí)，先在第三超導(dǎo)材料層表面沉積一定厚度的絕緣材料形成第三絕緣材料層，由于第三絕緣材料層的厚度較大，因此其易在凸角處形成鼓包；接著，采用離子束刻蝕的方法去除具有第一厚度的第三絕緣材料層，從而消除鼓包；最后，在上述結(jié)構(gòu)表面重新沉積具有第一厚度的絕緣材料，最終獲得具有平整表面的第三絕緣材料層。本發(fā)明提供的超導(dǎo)集成電路器件的制備方法解決了在形成厚度較大的絕緣材料層時(shí)易產(chǎn)生的鼓包的問題，從而有效改善了超導(dǎo)集成器件電感層的刻蝕殘留問題，避免了層內(nèi)金屬連接時(shí)容易產(chǎn)生的短路問題；且本發(fā)明提供的超導(dǎo)集成電路器件的制備方法操作簡單，大大提高了生產(chǎn)效率。

本發(fā)明授權(quán)一種超導(dǎo)集成電路器件的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種超導(dǎo)集成電路器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： S1：提供襯底，并于所述襯底上形成旁路電阻； S2：在步驟S1得到的結(jié)構(gòu)表面形成具有第一開孔的圖形化的第一絕緣材料層，且所述第一開孔顯露所述旁路電阻； S3：在步驟S2得到的結(jié)構(gòu)表面依次形成第一超導(dǎo)材料層、勢壘材料層、第二超導(dǎo)材料層的三層薄膜結(jié)構(gòu)，刻蝕所述三層薄膜結(jié)構(gòu)以形成約瑟夫森結(jié)； S4：在步驟S3得到的結(jié)構(gòu)表面依次形成圖形化的第二絕緣材料層及圖形化的第三超導(dǎo)材料層； S5：在步驟S4得到的結(jié)構(gòu)表面沉積絕緣材料形成圖形化的第三絕緣材料層，并采用離子束刻蝕的方法對所述第三絕緣材料層進(jìn)行修整，去除具有第一厚度的所述絕緣材料，獲得具有平整表面的所述第三絕緣材料層； S6：在步驟S5得到的結(jié)構(gòu)表面沉積具有第一厚度的所述絕緣材料，并對所述第三絕緣材料層進(jìn)行圖形化。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，其通訊地址為：200050 上海市長寧區(qū)長寧路865號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。