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龍圖騰網獲悉河南大學申請的專利一種空穴傳輸層摻雜硫氧化錫的鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115623799B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211516555.2，技術領域涉及：H10K30/50；該發明授權一種空穴傳輸層摻雜硫氧化錫的鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法是由陳沖;靳夢琦;李福民;申志濤;王夢欣;周欣設計研發完成，并于2022-11-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種空穴傳輸層摻雜硫氧化錫的鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種空穴傳輸層摻雜硫氧化錫的鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法，包括以下步驟：將玻璃ITO基底洗凈并吹干；將稀釋后的SnO2膠體水溶液旋涂在ITO玻璃上；將稀釋后的Al2O3的異丙醇溶液旋涂于SnO2薄膜上；將3D鈣鈦礦前驅體溶液旋涂于Al2O3薄膜上；將BAI的異丙醇溶液旋涂于3D鈣鈦礦薄膜上；將空穴傳輸層Spiro?OMeTAD:SnS1?xO2x分散液旋涂于2D鈣鈦礦薄膜上；利用真空蒸鍍法在空穴傳輸層上蒸鍍金電極，即得。本發明避免了以往太陽能電池制備過程中的高溫處理從而能夠降低生產成本，并且還能顯著提高和改進太陽能電池的光電轉換效率和穩定性，適合卷對卷和刮涂等大規模工業化生產。

本發明授權一種空穴傳輸層摻雜硫氧化錫的鈣鈦礦太陽能電池及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種空穴傳輸層摻雜硫氧化錫的鈣鈦礦太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： （1）清洗并吹干刻蝕過的玻璃ITO基板，使用前紫外臭氧處理； （2）用去離子水稀釋SnO2膠體水溶液；然后將稀釋后的SnO2膠體水溶液旋涂在ITO玻璃上，旋涂后退火處理，之后進行紫外處理，得到ITOSnO2襯底； （3）在獲得的ITOSnO2襯底上旋涂Al2O3的異丙醇溶液，退火后得到ITOSnO2Al2O3襯底； （4）在充滿氮氣的手套箱中，在獲得的ITOSnO2Al2O3襯底上旋涂三維（3D）鈣鈦礦的前驅體溶液，退火后得到ITOSnO2Al2O33D鈣鈦礦襯底；3D鈣鈦礦前驅體溶液具體為Cs0.05FA0.85MA0.150.95PbI0.85Br0.153:CNT:TiO2CsFAMA:CNT:TiO2鈣鈦礦前驅體溶液，制備過程如下：將一定量的CNT:TiO2粉末溶解在體積比為8.5:1.5的DMFDMSO混合溶劑中，得到濃度為0.025mgmL-1的混合極性溶液，將CsI、FAI、MAI、PbI2和PbBr2以0.05:0.81:0.14:0.78:0.22的摩爾比溶解在1mL上述獲得的濃度為0.025mgmL-1的CNT:TiO2溶液中，得到摩爾濃度為1.4molL-1的Cs0.05MA0.15FA0.850.95PbI0.85Br0.153:CNT:TiO2溶液，并在攪拌至少12小時后使用； （5）在已獲得的ITOSnO2Al2O33D鈣鈦礦襯底上旋涂BAI的異丙醇溶液，退火后獲得二維（2D）鈣鈦礦薄膜，得到ITOSnO2Al2O33D鈣鈦礦2D鈣鈦礦襯底； （6）在2D鈣鈦礦薄膜上旋涂空穴傳輸層Spiro-OMeTAD:SnS1-xO2x分散液，得到ITOSnO2Al2O33D鈣鈦礦2D鈣鈦礦Spiro-OMeTAD:SnS1-xO2x襯底； （7）利用真空蒸鍍法在獲得的ITOSnO2Al2O33D鈣鈦礦2D鈣鈦礦Spiro-OMeTAD:SnS1-xO2x襯底上蒸鍍金電極，得到結構為ITOSnO2Al2O33D鈣鈦礦2D鈣鈦礦Spiro-OMeTAD:SnS1-xO2xAu的鈣鈦礦太陽能電池。

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