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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江大學(xué)溫州研究院申請的專利一種在云母表面外延生長半導(dǎo)體微米線陣列的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116230495B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211608890.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)一種在云母表面外延生長半導(dǎo)體微米線陣列的方法是由樊超;戴興良;何海平設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-12-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種在云母表面外延生長半導(dǎo)體微米線陣列的方法在說明書摘要公布了：本申請公開了在云母表面外延生長半導(dǎo)體微米線陣列的方法，包括步驟：首先，在平滑的云母襯底上構(gòu)建高吸附區(qū)；然后，在該云母襯底表面氣相外延生長半導(dǎo)體微米線陣列。本發(fā)明通過在云母表面構(gòu)建高吸附區(qū)，使氣相原子優(yōu)先在該區(qū)域成核，垂直于高吸附區(qū)邊界外延生長的平面內(nèi)微米線具有更大的生長競爭優(yōu)勢，而其它方向外延生長的平面內(nèi)微米線的生長前端易被截止從而停止生長，最終形成有序排列的一維微米線陣列結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)一種在云母表面外延生長半導(dǎo)體微米線陣列的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種在云母表面外延生長半導(dǎo)體微米線陣列的方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟（1）在云母襯底表面構(gòu)建高吸附區(qū)域； 步驟（2）通過氣相沉積，在云母襯底的高吸附區(qū)邊界外延生長半導(dǎo)體微米線陣列； 其中，所述云母襯底包括白云母和氟金云母，所述半導(dǎo)體具有可以在云母襯底表面外延生長為多種取向的一維線狀結(jié)構(gòu)的特征；所述半導(dǎo)體微米線陣列是CsPbBr3； 所述步驟1中，所述在云母襯底表面構(gòu)建高吸附區(qū)域的方法為：用石墨粉末平鋪在云母襯底表面，利用石墨對氣相原子的吸附特性來形成高吸附區(qū)域。

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