上海積塔半導體有限公司谷東光獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉上海積塔半導體有限公司申請的專利半導體結構及淺溝槽隔離結構制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115954320B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310089273.7，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權半導體結構及淺溝槽隔離結構制備方法是由谷東光;卿晨;李留洋設計研發完成，并于2023-01-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及淺溝槽隔離結構制備方法在說明書摘要公布了：本申請提供了一種半導體結構及淺溝槽隔離結構制備方法。所述淺溝槽隔離結構制備方法包括：提供一襯底；于所述襯底上形成硬掩膜層，所述硬掩膜層包括依次層疊的第一刻蝕阻擋層、犧牲層及第二刻蝕阻擋層；圖形化所述硬掩膜層，并以圖形化后的硬掩膜層為掩膜版刻蝕所述襯底，以形成多個間隔排布的溝槽；去除剩余的所述犧牲層；沉積隔離材料并平坦化，以在每一所述溝槽內形成一個淺溝槽隔離結構，多個所述淺溝槽隔離結構之間的臺階高度差均勻。上述技術方案，通過在第一刻蝕阻擋層及第二刻蝕阻擋層之間設置犧牲層，避免了所述第一刻蝕阻擋層在溝槽刻蝕的過程中被消耗，使得形成的多個所述淺溝槽隔離結構之間的臺階高度差均勻，提高了產品的良率。
本發明授權半導體結構及淺溝槽隔離結構制備方法在權利要求書中公布了：1.一種淺溝槽隔離結構制備方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一襯底； 于所述襯底上形成硬掩膜層，所述硬掩膜層包括依次層疊的第一刻蝕阻擋層、犧牲層及第二刻蝕阻擋層； 圖形化所述硬掩膜層，并以圖形化后的硬掩膜層為掩膜版刻蝕所述襯底，以形成多個間隔排布的溝槽； 去除剩余的所述犧牲層； 沉積隔離材料并平坦化，以在每一所述溝槽內形成一個淺溝槽隔離結構，多個所述淺溝槽隔離結構之間的臺階高度差均勻。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海積塔半導體有限公司，其通訊地址為：200123 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區云水路600號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號