上海華虹宏力半導體制造有限公司曹子貴獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉上海華虹宏力半導體制造有限公司申請的專利閃存結構及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116234313B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310089450.1，技術領域涉及：H10B41/00；該發明授權閃存結構及其制作方法是由曹子貴設計研發完成，并于2023-01-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本閃存結構及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種閃存結構及其制作方法，包括：在襯底上形成柵氧層和浮柵多晶硅層后，在隔離結構制作前形成包裹浮柵多晶硅層的氮化硅犧牲層，并在在隔離結構制作后去除氮化硅犧牲層，在浮柵多晶硅層和隔離結構之間形成間隙，進而后續形成的柵間介質層和控制柵多晶硅層依次覆蓋浮柵多晶硅層并填充間隙，使控制柵多晶硅層包裹使浮柵多晶硅層，增加控制柵和浮柵的表面重疊面積，提高控制柵和浮柵的耦合電容，從而提升閃存器件的編程效率。進一步的，在浮柵多晶硅層和隔離結構之間形成的犧牲層，相當于一道氮化硅側墻，避免浮柵在STI形成線性氧化層時被氧化，消除浮柵的Smiling效應。
本發明授權閃存結構及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種閃存結構的制作方法，其特征在于，包括： 提供襯底，在所述襯底上依次形成柵氧層、浮柵多晶硅層及犧牲層； 刻蝕所述犧牲層、所述浮柵多晶硅層及所述柵氧層形成開口，并在所述開口的側壁形成犧牲層側墻； 以所述犧牲層為掩膜刻蝕所述襯底形成溝槽，并在所述溝槽內填充隔離氧化物形成凸出襯底表面的隔離結構； 去除所述犧牲層，形成柵間介質層，所述柵間介質層覆蓋所述浮柵多晶硅層的頂部、去除所述犧牲層后留下的縫隙靠近浮柵多晶硅層一側的側壁及縫隙的底部； 形成控制柵多晶硅層，所述控制柵多晶硅層覆蓋所述柵間介質層并填充剩余部分的縫隙。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華虹宏力半導體制造有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國（上海）自由貿易試驗區祖沖之路1399號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號