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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請的專利一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116230622B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310159467.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/762；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法是由廖黎明;仇峰;胡林輝設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-02-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，通過將深溝槽隔離光罩工藝集成到有源區(qū)反板光罩工藝中，通過一道光罩工藝，在基底上同時形成有源區(qū)反板區(qū)域和深溝槽隔離區(qū)域，在制作深溝槽隔離結(jié)構(gòu)時，無需單獨進行深溝槽隔離的硬掩膜層光罩工藝以及硬掩膜層刻蝕工藝，節(jié)省了一道光罩工藝以及相關(guān)刻蝕工藝；通過設(shè)置圖形化硬掩膜層與第一緩沖層采用不同材料，從而在刻蝕工藝中可以通過控制不同材料的刻蝕速率實現(xiàn)有源區(qū)反板刻蝕和深溝槽刻蝕；本申請精簡了工藝步驟，可以有效降低成本、提高工藝平臺競爭力。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：提供一基底，所述基底包括半導(dǎo)體襯底、形成于所述半導(dǎo)體襯底表面的圖形化硬掩膜層、第一緩沖層以及圖形化光刻膠層，所述圖形化光刻膠層限定出有源區(qū)反板區(qū)域和深溝槽隔離區(qū)域，所述圖形化硬掩膜層與第一緩沖層的材料不同，其中，所述基底進一步采用以下步驟形成：提供所述半導(dǎo)體襯底，于所述半導(dǎo)體襯底表面形成所述圖形化硬掩膜層，以所述圖形化硬掩膜層為掩膜對所述半導(dǎo)體襯底進行刻蝕形成多個第一凹槽，緩沖材料沉積形成填充滿所述第一凹槽且覆蓋所述圖形化硬掩膜層表面的所述第一緩沖層，于所述第一緩沖層表面形成所述圖形化光刻膠層，所述第一凹槽對應(yīng)所述深溝槽隔離區(qū)域；以所述圖形化光刻膠層為掩膜，采用刻蝕工藝進行刻蝕，以于所述深溝槽隔離區(qū)域形成深溝槽、于所述有源區(qū)反板區(qū)域暴露出所述圖形化硬掩膜層；采用平坦化工藝平坦化所述第一緩沖層；隔離材料沉積，形成填充滿所述深溝槽且覆蓋剩余的所述圖形化硬掩膜層表面以及剩余的所述第一緩沖層表面的隔離層；采用平坦化工藝平坦化所述隔離層，于所述深溝槽處形成深溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人上海積塔半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：200123 上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。