買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉南京郵電大學(xué)申請的專利一種環(huán)保溶液法制備鐵電薄膜有機半導(dǎo)體晶體管的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116156903B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310154930.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K10/46；該發(fā)明授權(quán)一種環(huán)保溶液法制備鐵電薄膜有機半導(dǎo)體晶體管的制備方法是由孫華斌;陳賡;丁凱瑞;吳潔;陳子龍;于志浩;徐勇設(shè)計研發(fā)完成，并于2023-02-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種環(huán)保溶液法制備鐵電薄膜有機半導(dǎo)體晶體管的制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種環(huán)保溶液法制備鐵電薄膜有機半導(dǎo)體晶體管的制備方法，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該器件包括：襯底；HfO2ZrO2Al2O3HfO2ZrO2交疊層；有機半導(dǎo)體層；金屬頂電極。通過1:1交疊旋涂HfO2和ZrO2前體溶液，可以得到鐵電極化均勻的HZO薄膜，通過插入超薄的Al2O3能夠有效抑制HZO膜單斜相形成，保證了HZAHZ膜鐵電性在總厚度增加后鐵電性不會退化。該HZO薄膜的溶液法采用的溶劑環(huán)保，制備工藝簡單，設(shè)備成本低，并且適用有機半導(dǎo)體晶體管。

本發(fā)明授權(quán)一種環(huán)保溶液法制備鐵電薄膜有機半導(dǎo)體晶體管的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種環(huán)保溶液法制備鐵電薄膜有機半導(dǎo)體晶體管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 1）制備氧化鉿柵薄膜介質(zhì)層，將四氯化鉿溶于去離子水，旋涂于硅片上，預(yù)退火固化薄膜； 2）在氮氣保護下制備氧化鋯薄膜柵介質(zhì)層，將八水氧氯化鋯溶于無水乙醇，旋涂于氧化鉿層上，預(yù)退火固化薄膜； 3）采用原子層沉積法生長氧化鋁薄膜作為隔斷層； 4）重復(fù)步驟1）、步驟2）得到HfO2ZrO2Al2O3HfO2ZrO2的鐵電交疊層，快速熱退火形成HZO薄膜； 5）在步驟4）基礎(chǔ)上制備DPPT-TT有機半導(dǎo)體層，然后蒸鍍頂電極，制備得到鐵電有機半導(dǎo)體晶體管； 所述的步驟1）中形成的氧化鉿薄膜厚度在10nm±2nm；所述的步驟2）中形成的氧化鋯薄膜厚度在10nm±2nm；步驟3）中形成的氧化鋁薄膜厚度在1.1nm±0.1nm； 所述步驟1）中預(yù)退火方式為：將硅片在150℃下預(yù)退火3min，所述步驟2）中預(yù)退火的方式為：將硅片在200℃氮氣環(huán)境下預(yù)退火5min，所述的步驟4）中，所述的快速熱退火工藝的方式為：放入高溫爐內(nèi)氮氣環(huán)境下，保持450℃熱退火2h。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人南京郵電大學(xué)，其通訊地址為：210023 江蘇省南京市鼓樓區(qū)新模范馬路66號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。