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龍圖騰網獲悉北京航空航天大學申請的專利一種接入集成光學陀螺系統的鈮酸鋰薄膜調制器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116974099B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310816375.4，技術領域涉及：G02F1/035；該發明授權一種接入集成光學陀螺系統的鈮酸鋰薄膜調制器是由李慧;趙蕊;王飛;廖升;溫琛;馮麗爽設計研發完成，并于2023-07-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種接入集成光學陀螺系統的鈮酸鋰薄膜調制器在說明書摘要公布了：本發明公開了一種接入集成光學陀螺系統的鈮酸鋰薄膜調制器，屬于集成光學陀螺領域；包括硅襯底，二氧化硅上下包層，集成鈮酸鋰薄膜調制器以及調制電極；傳輸光路分為輸入耦合光路、分束光路、調制光路、單模輸出光路以及輸出耦合光路。分束光路波導包括1分2多模干涉耦合器結構和彎曲波導結構，將光均分為功率比1:1的兩束光輸出；調制光路波導包括分束?調制錐形波導、調制波導以及調制電極，實現高調制的同時低吸收損耗；單模輸出光路波導包括多模?單模錐形波導和單模輸出波導，實現低損耗單模輸出；輸入端和輸出端耦合光路根據輸入和輸出耦合模斑大小設計雙層錐形波導結構，實現低損耗端面耦合。本發明具有低損耗、可集成和單模輸出等性能。

本發明授權一種接入集成光學陀螺系統的鈮酸鋰薄膜調制器在權利要求書中公布了：1.一種接入集成光學陀螺系統的鈮酸鋰薄膜相位調制器，其特征在于，包括硅襯底，在硅襯底從下往上分別設置有二氧化硅下包層和二氧化硅上包層，在二氧化硅上、下包層之間設置有集成刻蝕的鈮酸鋰薄膜調制器和鈮酸鋰端面耦合模斑轉換器； 所述鈮酸鋰薄膜調制器包括鈮酸鋰薄膜脊波導和調制電極；所述鈮酸鋰薄膜脊波導包括不同寬度的分束波導，調制波導和單模輸出波導； 所述分束波導包括將MMI分束結構，彎曲結構以及分束-調制錐形波導； 所述調制波導用于實現光相位調制，在調制波導兩側的調制電極上施加電壓，使光在波導中傳輸時光相位改變；在調制波導和單模輸出波導之間設置多模-單模錐形波導； 所述調制電極用于光調制，位于調制波導兩側； 所述鈮酸鋰端面耦合模斑轉換器為上下雙層錐形波導結構，包括輸入耦合模斑轉換器和輸出耦合模斑轉換器； 輸入耦合模斑轉換器位于輸入光纖和鈮酸鋰薄膜調制器輸入端之間，實現傳輸光從光纖大模場到鈮酸鋰薄膜調制器分束波導小模場的低損耗模斑轉換；其中，單下層錐形波導端與輸入光纖端連接，上下雙層錐形波導端與鈮酸鋰薄膜調制器輸入端連接； 輸出耦合模斑轉換器位于鈮酸鋰薄膜調制器的輸出端與集成光學陀螺系統中的氮化硅諧振腔輸入波導之間，實現傳輸光從鈮酸鋰薄膜調制器單模波導小模場到氮化硅諧振腔輸入波導大模場的低損耗模斑轉換；其中，單下層錐形波導端與氮化硅諧振腔輸入波導端相連；上下雙層錐形波導端與鈮酸鋰薄膜調制器輸出端相連。 對所述鈮酸鋰薄膜調制器的調制性能進行綜合評估，選定參數M來表示調制性能與調制波導寬度的關系，即： M＝Δn2a.u.·1-ALa.u. 其中，Δn為調制波導中的折射率變化，用來表征調制器的調制效率，Δn越大，調制效率越高；AL表示調制電極對傳輸光的吸收損耗，AL越大，電極吸收損耗越大；對于良好的調制性能，需要調制效率高的同時吸收損耗低，分別用Δna.u.和ALa.u.表示數據歸一化處理后的Δn和AL，即： 其中，用F1w＝Δn表示調制波導寬度w與折射率變化Δn的關系，用F2w＝AL表示調制波導寬度w與電極吸收損耗AL的關系； 在固定電極參數的情況下，參數M隨調制波導寬度w改變而變化，M參數越大表示調制器調制性能越好，找到最大M參數的調制波導寬度w，實現最優調制性能。

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