華中科技大學梁琳獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華中科技大學申請的專利壓接IGBT的在線監測和驅動電路、結溫計算方法和系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118777820B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410760909.0，技術領域涉及：G01R31/26；該發明授權壓接IGBT的在線監測和驅動電路、結溫計算方法和系統是由梁琳;張子揚設計研發完成，并于2024-06-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本壓接IGBT的在線監測和驅動電路、結溫計算方法和系統在說明書摘要公布了：本申請屬于IGBT結溫監測領域，具體公開了壓接IGBT的在線監測和驅動電路、結溫計算方法和系統。通過本申請，可以在PPIGBT的一個開關周期100μs內，不影響功率變換器正常運行情況下準確在線監測虛擬閾值電壓；不需打開IGBT封裝，直接把監測電路連接在器件端口處，實現非侵入性監測。將虛擬閾值電壓作為一種新的溫度敏感電參數TSEP，通過準確在線監測虛擬閾值電壓，再根據虛擬閾值電壓和結溫之間的線性關系，在線計算結溫。實現以下技術效果：1響應時間短：在一個開關周期100μs內；2與傳統的方法相比，監測電路元件數目少；3適用于任意壓力情況，只需標定該壓力下的結溫?虛擬閾值電壓的擬合關系式。
本發明授權壓接IGBT的在線監測和驅動電路、結溫計算方法和系統在權利要求書中公布了：1.一種壓接IGBT虛擬閾值電壓在線監測電路，其特征在于，包括：電流源、兩個二極管和三個MOSFET；其中， 所述電流源的輸出端、第一MOSFET的漏極和第二MOSFET的漏極三者短接； 第一MOSFET的源極接地，第二MOSFET的源極、第一二極管的陽極和第二二極管的陽極三者短接； 第一二極管的陰極，用于和被測壓接IGBT的集電極連接，所述被測壓接IGBT的發射極接地； 第二二極管的陰極和第三MOSFET的源極連接，用于和被測壓接IGBT的柵極連接； 第三MOSFET漏極，用于和外部柵極驅動電路的輸出端口連接。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華中科技大學，其通訊地址為：430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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