重慶云潼科技有限公司李俊輝獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉重慶云潼科技有限公司申請的專利一種MOSFET測試電路獲國家實(shí)用新型專利權(quán)，本實(shí)用新型專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN223284330U 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的實(shí)用新型授權(quán)公告中獲悉：該實(shí)用新型的專利申請?zhí)?專利號為：202421504975.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R31/26；該實(shí)用新型一種MOSFET測試電路是由李俊輝;廖光朝;張小兵;胡紹國設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-06-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種MOSFET測試電路在說明書摘要公布了：本實(shí)用新型提供了一種MOSFET測試電路，包括：電感支路、輔助測試器件支路、短路支路和驅(qū)動信號模塊，電感支路和輔助測試器件支路上分別設(shè)有第一開關(guān)和第二開關(guān)，電感支路的一端與電源連接，電感支路的另一端與被測器件的漏極連接，電感支路分別與輔助測試器件支路和短路支路并聯(lián)，驅(qū)動信號模塊與被測器件的柵極連接，被測器件的源極接地。
本實(shí)用新型一種MOSFET測試電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MOSFET測試電路，其特征在于，包括： 電感支路、輔助測試器件支路、短路支路和驅(qū)動信號模塊，電感支路和輔助測試器件支路上分別設(shè)有第一開關(guān)K1和第二開關(guān)K2，電感支路的一端與電源VCC連接，電感支路的另一端與被測器件Q2的漏極連接，電感支路分別與輔助測試器件支路和短路支路并聯(lián)，驅(qū)動信號模塊與被測器件Q2的柵極連接，被測器件Q2的源極接地。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人重慶云潼科技有限公司，其通訊地址為：400000 重慶市江北區(qū)魚嘴鎮(zhèn)永和路39號6層608室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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