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龍圖騰網獲悉上海奧令科電子科技有限公司申請的專利一種輸入電流可變的電流比較器獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119401989B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411351072.0，技術領域涉及：H03K5/24；該發明授權一種輸入電流可變的電流比較器是由董羨;王昕宇;金聰設計研發完成，并于2024-09-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種輸入電流可變的電流比較器在說明書摘要公布了：本發明屬于移動通信領域領域，提供了一種輸入電流可變的電流比較器，包括：依次連接的輸入電流補償部分、電流鏡部分以及改進SR級部分；輸入電流補償部分包括：第一PMOS管、第二PMOS管以及第三PMOS管；改進SR級部分包括：若干個TRIMMING位修正電路；本發明通過增加輸入電流補償部分和設計多級TRIMMING位修正電路解決了傳統電流比較器需要多個不同的電流比較器以及復雜控制邏輯的缺陷，實現了對輸入電流范圍的擴展。

本發明授權一種輸入電流可變的電流比較器在權利要求書中公布了：1.一種輸入電流可變的電流比較器，其特征在于，包括：依次連接的輸入電流補償部分、電流鏡部分以及改進SR級部分；所述輸入電流補償部分包括：第一PMOS管、第二PMOS管以及第三PMOS管；所述改進SR級部分包括：若干個TRIMMING位修正電路；所述電流鏡部分包括：NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10、NMOS管M11； 所述第一PMOS管的柵極、所述第一PMOS管的漏極、所述第二PMOS管的源極以及所述第三PMOS管的源極兩兩相連；所述第二PMOS管的柵極和所述第三PMOS管的柵極均與外部低電平端連接；所述第一PMOS管的源極與外部高電壓端連接；所述第二PMOS管的襯底和所述第三PMOS管的襯底連接；所述第二PMOS管的漏極與所述電流鏡部分的第一電流輸入端連接；所述第三PMOS管的漏極與所述電流鏡部分的第二電流輸入端連接；全部所述TRIMMING位修正電路采用并聯方式連接；所述NMOS管M4和所述NMOS管M6連接；所述NMOS管M5與所述NMOS管M7連接；所述NMOS管M6和所述NMOS管M7采用二極管接法；所述NMOS管M6的柵極與所述NMOS管M8的柵極連接；所述NMOS管M7的柵極與所述NMOS管M9的柵極連接；所述NMOS管M8和所述NMOS管M9組成電流鏡；所述NMOS管M8與所述NMOS管M10連接；所述NMOS管M9與所述NMOS管M11連接；所述NMOS管M4、所述NMOS管M5、所述NMOS管M10、所述NMOS管M11采用共柵級接法；每個所述TRIMMING位修正電路均與所述NMOS管M10和所述NMOS管M11連接； 所述第一PMOS管用于提供電源到輸入級的電流通路；所述第二PMOS管用于隔離正端輸入電壓與共模電壓；所述第三PMOS管用于隔離負端輸入電壓與共模電壓；所述電流鏡部分用于通過所述NMOS管M8和所述NMOS管M9將第一級電流鏡像至SR級；所述改進SR級部分用于通過比較輸入的兩路電流大小輸出比較結果；所述TRIMMING位修正電路用于控制電源電壓變化對工作點的影響。

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