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龍圖騰網(wǎng)獲悉廣州南沙地大濱海研究院;中國地質(zhì)大學(xué)(武漢);中國地質(zhì)大學(xué)深圳研究院;中山大學(xué)惠州研究院申請的專利一種納米孿晶銅沉積基材的鍵合方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119650446B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-29發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411938499.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/60；該發(fā)明授權(quán)一種納米孿晶銅沉積基材的鍵合方法是由孫慶磊;李嘉寧;劉富初;蔣宏勇;李施霖;陳博遠(yuǎn)設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-12-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種納米孿晶銅沉積基材的鍵合方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種納米孿晶銅沉積基材的鍵合方法，包括陶瓷基板的預(yù)處理、Ti層鍍層的磁控濺射、使用磁控濺射設(shè)備制備靜電噴霧輔助磁控濺射納米孿晶銅層和GaN功率模塊燒結(jié)連接。本發(fā)明在較低的溫度下，高取向性的納米孿晶銅能夠與納米銀膏之間進(jìn)行高效的擴(kuò)散，能夠擁有更高效的結(jié)合強(qiáng)度；同時在空氣和保護(hù)性氣體中都可以進(jìn)行燒結(jié)，從材料、實驗條件、燒結(jié)條件等方面都相較于傳統(tǒng)DBC鍵合方法相比能夠達(dá)到更高的鍵合強(qiáng)度以及時效性能，同時相比于鍍銀板又有著明顯的經(jīng)濟(jì)成本的降低。

本發(fā)明授權(quán)一種納米孿晶銅沉積基材的鍵合方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種納米孿晶銅沉積基材的鍵合方法，其特征在于：所述納米孿晶銅沉積基材由陶瓷基板（1）、磁控濺射Ti層（2）、靜電噴霧輔助磁控濺射納米孿晶銅層（3）、納米銀鍵合層（4）和GaN功率模塊（5）構(gòu)成； 所述陶瓷基板（1）位于所述納米孿晶銅沉積基材的最底層，所述陶瓷基板（1）的上板面依次附著有磁控濺射Ti層（2）和靜電噴霧輔助磁控濺射納米孿晶銅層（3），所述GaN功率模塊（5）與納米銀鍵合層（4）呈一一對應(yīng)狀設(shè)置有若干個，且所述GaN功率模塊（5）通過納米銀鍵合層（4）連接在所述靜電噴霧輔助磁控濺射納米孿晶銅層（3）的上表面； 所述納米孿晶銅沉積基材的鍵合方法包括以下步驟： S1、陶瓷基板的預(yù)處理，對陶瓷基板（1）的表面進(jìn)行洗凈預(yù)處理，將陶瓷基板（1）置于氫氟酸清洗液中，在超聲清洗裝置下水浴加熱，達(dá)到目標(biāo)溫度后超聲清洗，并用去離子水和無水乙醇清洗干凈備用； S2、Ti層鍍層的磁控濺射，將清洗干凈的陶瓷基板（1）使用磁控濺射設(shè)備進(jìn)行Ti層的制備，以在陶瓷基板（1）的表面附著一層磁控濺射Ti層（2）； S3、納米孿晶銅層靜電播種，將制備好的Ti層鍍層的陶瓷基板（1），靜電播種納米銅種后，使用磁控濺射設(shè)備制備靜電噴霧輔助磁控濺射納米孿晶銅層（3）； S4、GaN功率模塊燒結(jié)連接，將帶有靜電噴霧輔助磁控濺射納米孿晶銅層（3）的陶瓷基板（1），使用絲網(wǎng)印刷技術(shù)印刷納米銀膏，所形成的納米銀鍵合層（4）與GaN功率模塊（5）在氣氛下無壓燒結(jié)得到成品模塊。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人廣州南沙地大濱海研究院;中國地質(zhì)大學(xué)(武漢);中國地質(zhì)大學(xué)深圳研究院;中山大學(xué)惠州研究院，其通訊地址為：511462 廣東省廣州市南沙區(qū)南江二路8號廣州視聯(lián)國際科技廣場A15、A16棟；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。