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龍圖騰網獲悉深圳平湖實驗室申請的專利一種碳化硅MOSFET器件及電子設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120358780B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510796471.6，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權一種碳化硅MOSFET器件及電子設備是由馮思睿;支海朝;林新鵬;江春玉;胡浩林;王曉萍;萬玉喜設計研發完成，并于2025-06-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種碳化硅MOSFET器件及電子設備在說明書摘要公布了：本公開提供的一種碳化硅MOSFET器件及電子設備，使用大傾角的N+型4H?SiC襯底作為外延襯底，可以實現常規外延生長N?型4H?SiC漂移層，通過對N?型4H?SiC漂移層刻蝕周期性凹槽，再進行N型4H?SiCJFET層的生長，該生長過程中凹槽誘導4°傾角N型4H?SiCJFET層表面的原子臺階合并形成大面積的原子臺階束，從而在N型4H?SiCJFET層表面得到大面積的（0001）晶面，在（0001）晶面上可以生長出高質量的N型3C?SiC溝道層，最后把多余的原子臺階束磨平，得到具有高遷移率N型3C?SiC溝道層、高耐壓N型4H?SiCJFET層和N?型4H?SiC漂移層的器件。

本發明授權一種碳化硅MOSFET器件及電子設備在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括元胞結構，所述元胞結構包括： N+型4H-SiC襯底，所述N+型4H-SiC襯底的[11-20]晶軸與其厚度方向的第一夾角為80~89°； N-型4H-SiC漂移層，位于所述N+型4H-SiC襯底的一側，所述N-型4H-SiC漂移層遠離所述N+型4H-SiC襯底的表面具有周期性排列的凹槽，所述N+型4H-SiC襯底的[11-20]晶軸與所述N-型4H-SiC漂移層和所述N+型4H-SiC襯底界面之間的第二夾角為1~10°； N型4H-SiCJFET層，位于所述N-型4H-SiC漂移層遠離所述N+型4H-SiC襯底的一側，所述N型4H-SiCJFET層靠近所述N+型4H-SiC襯底的一側填充所述凹槽，所述N型4H-SiCJFET層遠離所述N+型4H-SiC襯底的表面包括多個（0001）晶面； N型3C-SiC溝道層，位于所述N型4H-SiCJFET層遠離所述N+型4H-SiC襯底的一側，所述N型3C-SiC溝道層遠離所述N+型4H-SiC襯底的表面為平坦表面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳平湖實驗室，其通訊地址為：518116 廣東省深圳市龍崗區平湖街道中科億方智匯產業園12棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。