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龍圖騰網獲悉深圳平湖實驗室申請的專利一種氫離子注入后的SiC單晶襯底的面型修復方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120307104B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510808307.2，技術領域涉及：B24B1/00；該發明授權一種氫離子注入后的SiC單晶襯底的面型修復方法是由鄒興;胡浩林;呂鵬飛;莊裕峯;許益民;王映德;萬玉喜設計研發完成，并于2025-06-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種氫離子注入后的SiC單晶襯底的面型修復方法在說明書摘要公布了：本公開實施例提供了一種氫離子注入后的SiC單晶襯底的面型修復方法，通過利用研磨盤的熱膨脹隨溫度變化的特性對SiC單晶襯底離子注入后襯底面型進行修復，由于研磨盤研磨受熱后，研磨盤邊緣和盤面中間散熱速度不同，研磨盤邊緣和盤面中間膨脹幅度不一樣，導致研磨盤邊緣和中間與SiC單晶襯底接觸面積和擠壓力度有所不同，通過控制研磨過程中溫度升高的范圍，控制研磨盤變形的凸起程度，在擠壓和研磨液的共同作用下將SiC單晶襯底的凹面擠壓成平面，從而達到修復SiC單晶襯底面型的目的。

本發明授權一種氫離子注入后的SiC單晶襯底的面型修復方法在權利要求書中公布了：1.一種氫離子注入后的SiC單晶襯底的面型修復方法，其特征在于，包括： S1、對經過氫離子注入后的多片SiC單晶襯底進行面型檢測，以檢測彎曲度和翹曲度； S2、將彎曲度大于或等于第一預設值的所述SiC單晶襯底按照彎曲度最大值和最小值跨度在第二預設值內進行連續分組，所述第一預設值為30μm，所述第二預設值為50±5μm；將彎曲度大于或等于第一預設值的所述SiC單晶襯底分為四組：第一組對應的彎曲度為[30，80）μm，第二組對應的彎曲度為[80，130）μm，第三組對應的彎曲度為[130，180）μm，第四組對應的彎曲度為[180，230）μm； S3、提供熱膨脹系數范圍為15×10-6℃~24×10-6℃的研磨盤，根據所述分組的情況，確定各組所述SiC單晶襯底的彎曲度對應的所述研磨盤的凹度，以對所述研磨盤進行刻盤和修整處理，并對具有凹度的所述研磨盤盤面進行刻槽形成環形槽；其中，所述第一組對應的所述研磨盤的凹度為40±10μm，所述第二組對應的所述研磨盤的凹度為65±10μm，所述第三組對應的所述研磨盤的凹度為90±10μm，所述第四組對應的所述研磨盤的凹度為115±10μm； S4、將同一組的所述SiC單晶襯底的氫離子注入面粘貼在同一陶瓷盤上，將粘貼在所述陶瓷盤上的所述SiC單晶襯底的非注入面與所述研磨盤接觸，固定單面研磨機的研磨頭和所述陶瓷盤，在所述研磨盤的盤面滴加研磨液對所述SiC單晶襯底進行研磨加工； S5、在所述研磨加工的過程中，控制所述研磨盤的盤面溫度為25~45℃，確保所述研磨盤產生形變以達到修復所述SiC單晶襯底的面型； S6、取下所述SiC單晶襯底，并對所述SiC單晶襯底進行清洗； S7、檢測各所述SiC單晶襯底的彎曲度和翹曲度，確定彎曲度是否小于所述第一預設值，以及確定翹曲度是否小于第三預設值；若是，則修復成功；若否，則執行步驟S4~S7，直至彎曲度小于所述第一預設值，翹曲度小于所述第三預設值。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳平湖實驗室，其通訊地址為：518116 廣東省深圳市龍崗區平湖街道中科億方智匯產業園12棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。