上海車儀田科技有限公司張南南獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海車儀田科技有限公司申請的專利一種雙光束激光干涉檢測裝置及檢測方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120426860B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-29發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510926149.0,技術領域涉及:G01B9/02055;該發明授權一種雙光束激光干涉檢測裝置及檢測方法是由張南南;張黎明;鐘輝;郭軍濤;唐凱;黃興玉設計研發完成,并于2025-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種雙光束激光干涉檢測裝置及檢測方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種雙光束激光干涉檢測裝置及檢測方法,用于半導體刻蝕和薄膜工藝終點檢測,雙光束激光干涉檢測裝置包括成像單元、檢測單元和參考單元;檢測單元包括第一發射件,用于發射檢測光線,檢測光線經由成像單元聚焦至晶圓;第一探測器輸出第一反射信號;參考單元包括第二發射件,向成像單元發射參考光線,使參考光線聚焦于半導體設備窗口;第二探測器輸出第二反射信號。在檢測過程中,將第一反射信號和第二反射信號進行差值計算,得到消除干擾后的光強信號,根據消除干擾后的光強信號計算晶圓的刻蝕深度或薄膜沉積厚度。本發明能夠消除半導體設備振動和環境不穩定的因素造成的晶圓刻蝕深度與薄膜沉積厚度終點檢測的準確度不足的問題。
本發明授權一種雙光束激光干涉檢測裝置及檢測方法在權利要求書中公布了:1.一種雙光束激光干涉檢測裝置,用于半導體刻蝕和薄膜工藝終點檢測,其特征在于,所述雙光束激光干涉檢測裝置包括成像單元、檢測單元和參考單元; 所述檢測單元包括: 第一發射件,設于所述成像單元的一側,用于發射檢測光線,所述檢測光線經由所述成像單元聚焦至晶圓; 第一探測器,設于所述成像單元的一側,用于接收所述晶圓反射的檢測光線并輸出第一反射信號; 所述參考單元包括: 第二發射件,設于所述成像單元的一側,用于向所述成像單元發射參考光線,以使部分所述參考光線聚焦于半導體設備窗口; 第二探測器,設于所述成像單元的一側,以接收所述半導體設備窗口反射的參考光線并輸出第二反射信號; 在終點檢測過程中,將所述第一反射信號和所述第二反射信號進行差值計算,以得到消除干擾后的光強信號,以根據消除干擾后的所述光強信號計算所述晶圓的刻蝕深度或薄膜沉積厚度; 所述成像單元包括依次設置的第一分光鏡、第二分光鏡、透鏡組和超透鏡; 所述第一發射件設于所述第二分光鏡的一側,用于向所述第二分光鏡發射檢測光線,以使所述檢測光線依次經過所述第二分光鏡、所述透鏡組和所述超透鏡后聚焦至晶圓; 所述參考光線包括第一光線和第二光線,所述第一光線為準直光且所述第一光線經過所述第一分光鏡、所述第二分光鏡和所述透鏡組后形成第二光線;所述第二光線經過所述超透鏡后,一部分聚焦于半導體設備窗口,另一部分照明所述晶圓; 所述第二發射件可移動的設于所述第一分光鏡的一側,以適配所述透鏡組的焦距變化,使所述第二光線為準直光。
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