買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會社半導(dǎo)體能源研究所申請的專利顯示設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116343705B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202310341421.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G09G3/36；該發(fā)明授權(quán)顯示設(shè)備是由山崎舜平;小山潤;三宅博之;津吹將志;野田耕生設(shè)計研發(fā)完成，并于2010-09-28向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本顯示設(shè)備在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種顯示設(shè)備，包括：包括源極、漏極和溝道形成區(qū)的晶體管，所述溝道形成區(qū)包括氧化物半導(dǎo)體；電連接到所述晶體管的所述源極或所述漏極的像素電極；以及與所述像素電極相鄰的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃測量的特定電阻率大于或等于1×1012Ω·cm。

本發(fā)明授權(quán)顯示設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種顯示設(shè)備，包括： 包括晶體管的像素部分；以及 電連接到所述像素部分的柵極線驅(qū)動電路， 其中，所述像素部分的所述晶體管包括氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括溝道形成區(qū)， 其中，所述像素部分被配置為以第一模式和第二模式顯示，在所述第一模式的期間向所述柵極線驅(qū)動電路提供起動脈沖，所述第二模式包括停止向所述柵極線驅(qū)動電路提供起動脈沖的周期， 其中，所述像素部分的所述晶體管還包括第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第三導(dǎo)電層、第四導(dǎo)電層和第五導(dǎo)電層， 其中，所述氧化物半導(dǎo)體層包括位于所述第一導(dǎo)電層上的區(qū)域， 其中，所述第二導(dǎo)電層包括位于所述氧化物半導(dǎo)體層上的區(qū)域， 其中，所述第三導(dǎo)電層包括位于所述氧化物半導(dǎo)體層上的區(qū)域， 其中，所述第四導(dǎo)電層包括隔著絕緣層位于所述氧化物半導(dǎo)體層上的區(qū)域， 其中，所述第五導(dǎo)電層包括位于所述絕緣層上的區(qū)域， 其中，所述第二導(dǎo)電層包括與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸的區(qū)域， 其中，所述第三導(dǎo)電層包括與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸的區(qū)域， 其中，所述第三導(dǎo)電層包括與所述第一導(dǎo)電層接觸的區(qū)域， 其中，所述第三導(dǎo)電層包括與所述第五導(dǎo)電層接觸的區(qū)域， 其中，所述第四導(dǎo)電層被配置為用作所述像素部分的所述晶體管的柵電極， 其中，在截面圖中，所述氧化物半導(dǎo)體層包括位于所述第一導(dǎo)電層與所述第三導(dǎo)電層之間的區(qū)域， 其中，在平面圖中，所述氧化物半導(dǎo)體層與所述第一導(dǎo)電層的邊緣重疊，且 其中，在所述平面圖中，與所述第四導(dǎo)電層重疊的所述溝道形成區(qū)被所述第一導(dǎo)電層的所述邊緣包圍。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人株式會社半導(dǎo)體能源研究所，其通訊地址為：日本神奈川縣；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。