信越化學工業株式會社久保田芳宏獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉信越化學工業株式會社申請的專利III族化合物基板的制造方法和利用該制造方法制造的基板獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114144864B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080053287.8，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權III族化合物基板的制造方法和利用該制造方法制造的基板是由久保田芳宏;永田和壽設計研發完成，并于2020-06-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本III族化合物基板的制造方法和利用該制造方法制造的基板在說明書摘要公布了：本發明的III族化合物基板的制造方法包括以下工序：基底基板形成工序，通過氣相合成法形成III族氮化物的基底基板；種基板形成工序，在基底基板上形成種基板；以及III族化合物晶體形成工序，通過氫化物氣相生長法在種基板上形成III族化合物晶體。本發明的III族化合物基板的特征在于：其是通過本發明的III族化合物基板的制造方法制造的。根據本發明，在發揮氫化物氣相生長法的特長、即高成膜速度的特長的同時，以低成本得到更大型且高品質的III族化合物基板。
本發明授權III族化合物基板的制造方法和利用該制造方法制造的基板在權利要求書中公布了：1.III族化合物基板的制造方法，該制造方法包括以下工序： 基底基板形成工序，通過氣相合成法形成III族氮化物的基底基板； 種基板形成工序，在上述基底基板上形成種基板；以及 III族化合物晶體形成工序，通過氫化物氣相生長法在上述種基板上形成III族化合物晶體，其中，上述基底基板是下述的基板： 將通過氫化物氣相生長法得到的III族氮化物的粉末成型以制作成型體，利用浸漬法使上述成型體含有III族金屬，之后對上述成型體進行燒結而得到的基板； 將通過氫化物氣相生長法得到的III族氮化物的粉末成型以制作成型體，利用浸漬法使上述成型體含有還原時成為III族金屬的III族化合物，之后對上述成型體進行氮化和燒結而得到的基板；或者， 在通過氫化物氣相生長法得到的III族氮化物的粉末中添加混合III族金屬以制作混合物，將上述混合物成型以制作成型體，之后對上述成型體進行氮化和燒結而得到的基板。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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