南通尚陽(yáng)通集成電路有限公司周翔獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉南通尚陽(yáng)通集成電路有限公司申請(qǐng)的專利平面功率半導(dǎo)體器件獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN114649397B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202011518527.5,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10D62/10;該發(fā)明授權(quán)平面功率半導(dǎo)體器件是由周翔;鄭輝設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2020-12-21向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本平面功率半導(dǎo)體器件在說(shuō)明書摘要公布了:本發(fā)明公開了一種平面功率半導(dǎo)體器件,器件單元包括:形成于襯底上的第一外延層;柵極結(jié)構(gòu)形成于第一外延層表面;源區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)面自對(duì)準(zhǔn);漏區(qū)和柵極結(jié)構(gòu)的第二側(cè)面具有間隔;漂移區(qū)位于柵極結(jié)構(gòu)的第二側(cè)面和漏區(qū)之間;導(dǎo)電溝道由被柵極結(jié)構(gòu)所覆蓋的第一外延層表面反型時(shí)形成反型層組成;漂移區(qū)的摻雜濃度分布形成電荷平衡結(jié)構(gòu),在反偏時(shí),電荷平衡結(jié)構(gòu)使得漂移區(qū)被全部耗盡且表面電場(chǎng)分布均勻。本發(fā)明能實(shí)現(xiàn)漂移區(qū)的電荷平衡結(jié)構(gòu),從而能減小比導(dǎo)通電阻并大幅度減小器件在開通時(shí)的能量損耗,特別適用于氮化鎵功率器件,能充分發(fā)揮氮化鎵材料的優(yōu)勢(shì),減小氮化鎵器件制造的成本并且簡(jiǎn)化工藝流程。
本發(fā)明授權(quán)平面功率半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了:1.一種平面功率半導(dǎo)體器件,其特征在于,器件單元包括: 形成于襯底上的第一外延層; 柵極結(jié)構(gòu)形成于所述第一外延層表面;所述柵極結(jié)構(gòu)包括形成于所述第一外延層表面的柵介質(zhì)層和形成于所述柵介質(zhì)層表面的柵極導(dǎo)電材料層; 第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s的源區(qū)和所述柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)面自對(duì)準(zhǔn); 第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s的漏區(qū)和所述柵極結(jié)構(gòu)的第二側(cè)面具有間隔; 第一導(dǎo)電類型摻雜的漂移區(qū)位于所述柵極結(jié)構(gòu)的第二側(cè)面和所述漏區(qū)之間; 導(dǎo)電溝道由被所述柵極結(jié)構(gòu)所覆蓋的所述第一外延層表面反型時(shí)形成反型層組成; 所述漂移區(qū)的摻雜濃度分布形成電荷平衡結(jié)構(gòu),在反偏時(shí),所述電荷平衡結(jié)構(gòu)使得所述漂移區(qū)被全部耗盡且表面電場(chǎng)分布均勻; 平面功率半導(dǎo)體器件為氮化鎵平面場(chǎng)效應(yīng)晶體管; 所述襯底為絕緣襯底; 所述第一外延層為氮化鎵外延層; 所述第一外延層為第二導(dǎo)電類型摻雜或者為非摻雜; 控制所述漂移區(qū)的總摻雜劑量使所述漂移區(qū)形成電荷平衡結(jié)構(gòu); 所述漂移區(qū)由形成于所述第一外延層表面上的經(jīng)過局部刻蝕后的第二外延層組成;在縱向上,所述漏區(qū)從所述第二外延層的頂部表面延伸到所述第一外延層中;所述漂移區(qū)的所述第二外延層在縱向上分成多個(gè)第二外延子層;各所述第二外延子層的第二側(cè)面平齊且都和所述漏區(qū)的第一側(cè)面對(duì)準(zhǔn);在從底部往頂部的縱向上,各所述第二外延子層的第一側(cè)面和所述柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)面的距離增加; 各所述第二外延子層的摻雜濃度不相等; 在從底部往頂部的縱向上,各所述第二外延子層的摻雜濃度依次增加或者依次降低或者先依次增加并在增加到最大值后再依次降低或者先依次降低并在降低到最小值后再依次增加。
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人南通尚陽(yáng)通集成電路有限公司,其通訊地址為:226000 江蘇省南通市崇川區(qū)崇川路79號(hào)國(guó)際青創(chuàng)園1號(hào)樓18層;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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