中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司張海洋獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結(jié)構(gòu)的形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114695120B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011641591.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)的形成方法是由張海洋;紀世良設計研發(fā)完成，并于2020-12-31向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本半導體結(jié)構(gòu)的形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在襯底內(nèi)形成初始凹槽，所述初始凹槽的側(cè)壁表面和底部表面之間的夾角具有第一曲率；在初始凹槽側(cè)壁表面和底部表面形成覆蓋層，使所述初始凹槽形成第一凹槽，所述第一凹槽的側(cè)壁表面和底部表面之間的夾角為直角，或者所述第一凹槽側(cè)壁表面和底部表面之間的夾角具有第二曲率，且所述第二曲率小于所述第一曲率；在覆蓋層上形成鰭部材料層，所述鰭部材料層填充滿所述第一凹槽。所述方法形成的鰭部結(jié)構(gòu)性能得到提升。
本發(fā)明授權(quán)半導體結(jié)構(gòu)的形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底； 在襯底內(nèi)形成初始凹槽，所述初始凹槽的側(cè)壁表面和底部表面之間的夾角具有第一曲率； 在初始凹槽側(cè)壁表面和底部表面形成覆蓋層，使所述初始凹槽形成第一凹槽，所述第一凹槽的側(cè)壁表面和底部表面之間的夾角為直角； 在覆蓋層上形成鰭部材料層，所述鰭部材料層填充滿所述第一凹槽。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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