琳得科株式會社巖屋涉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉琳得科株式會社申請的專利半導體裝置制造用片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114586141B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202180006002.X，技術領域涉及：H01L21/683；該發明授權半導體裝置制造用片是由巖屋涉;佐藤陽輔設計研發完成，并于2021-03-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置制造用片在說明書摘要公布了：本發明為一種半導體裝置制造用片，其具備基材、粘著劑層、中間層及膜狀粘合劑，所述半導體裝置制造用片通過在所述基材上依次層疊所述粘著劑層、所述中間層及所述膜狀粘合劑而構成，所述中間層含有重均分子量為100000以下的非硅類樹脂作為主要成分。
本發明授權半導體裝置制造用片在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置制造用片，其具備基材、粘著劑層、中間層及膜狀粘合劑， 所述半導體裝置制造用片通過在所述基材上依次層疊所述粘著劑層、所述中間層及所述膜狀粘合劑而構成， 所述中間層含有重均分子量為100000以下的非硅類樹脂作為主要成分， 所述中間層含有作為所述非硅類樹脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物與硅氧烷類化合物， 通過X射線光電子能譜法對所述中間層的所述膜狀粘合劑側的面進行分析時，硅的濃度相對于碳、氧、氮及硅的合計濃度的比例為1～20％， 在所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物中，衍生自乙酸乙烯酯的結構單元的質量相對于所有的結構單元的合計質量的比例為10～40質量％， 在所述中間層中，所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相對于所述中間層的總質量的比例為90～99.99質量％， 在所述中間層中，所述硅氧烷類化合物的含量相對于所述中間層的總質量的比例為0.01～10質量％。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人琳得科株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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