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龍圖騰網(wǎng)獲悉華潤微電子(重慶)有限公司申請的專利MOSFET器件及制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115394829B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110566514.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)MOSFET器件及制備方法是由焦偉;劉華瑞設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-05-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本MOSFET器件及制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種MOSFET器件及制備方法，引入具有不同摻雜濃度的雙層外延以及較深的具有不同厚度柵介電層的溝槽柵極結(jié)構(gòu)，能夠使得在一定溝槽深度情況下MOSFET器件取得較高的耐壓，顯著降低了導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)時間；在溝槽柵極結(jié)構(gòu)中，形成的具有不同厚度的柵介電層以及具有同一平面的柵導(dǎo)電層的復(fù)合溝槽柵結(jié)構(gòu)的制備工藝簡單，便于制造實現(xiàn)，且制造成本較低；在外延結(jié)構(gòu)中引入缺陷中心，還可進一步的降低MOSFET器件的反向恢復(fù)時間，從而可大幅提升電源系統(tǒng)的整流效率，同時雙層外延提供了軟的反向恢復(fù)特性，顯著降低了系統(tǒng)的電壓和電流尖峰，提高了系統(tǒng)可靠性。

本發(fā)明授權(quán)MOSFET器件及制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件包括： 具有第一導(dǎo)電類型的外延結(jié)構(gòu)，所述外延結(jié)構(gòu)包括堆疊設(shè)置的第一外延層及第二外延層，且所述第一外延層的摻雜濃度大于所述第二外延層的摻雜濃度，所述外延結(jié)構(gòu)為具有缺陷中心的外延結(jié)構(gòu)，形成所述缺陷中心的物質(zhì)包括鋰、鐵及銅中的一種或組合，且所述缺陷中心均勻分布于所述第一外延層及所述第二外延層中； 溝槽柵極結(jié)構(gòu)，所述溝槽柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述外延結(jié)構(gòu)中，包括第一溝槽柵極結(jié)構(gòu)及第二溝槽柵極結(jié)構(gòu)，其中，所述第一溝槽柵極結(jié)構(gòu)包括第一柵介電層及第一柵導(dǎo)電層，所述第二溝槽柵極結(jié)構(gòu)包括第二柵介電層及第二柵導(dǎo)電層，且所述第二溝槽柵極結(jié)構(gòu)位于所述第一柵介電層上，并位于部分所述第一柵導(dǎo)電層的外圍，且所述第一柵介電層直接作為所述第二溝槽柵極結(jié)構(gòu)中的所述第二柵介電層應(yīng)用； 具有第二導(dǎo)電類型的體區(qū)，所述體區(qū)設(shè)置于所述溝槽柵極結(jié)構(gòu)之間的所述第二外延層中，所述第二導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型相反； 具有第一導(dǎo)電類型的源區(qū)，所述源區(qū)設(shè)置于所述體區(qū)上。

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