華為技術有限公司;深圳市曙芯生物科技有限公司劉力維獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華為技術有限公司;深圳市曙芯生物科技有限公司申請的專利用于合成DNA的芯片的制備方法及該芯片的用途、DNA的合成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115591591B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110767692.2，技術領域涉及：B01L3/00；該發明授權用于合成DNA的芯片的制備方法及該芯片的用途、DNA的合成方法是由劉力維;趙智;徐君設計研發完成，并于2021-07-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于合成DNA的芯片的制備方法及該芯片的用途、DNA的合成方法在說明書摘要公布了：本申請提供了一種用于合成DNA的芯片的制備方法及該芯片的用途、DNA的合成方法。該制備方法包括以下步驟：在覆有硅烷膜層的基板表面，噴墨打印親水物質，待親水物質與硅烷膜層反應形成共價連接后，在硅烷膜層的表面形成親水點陣；利用疏水物質在硅烷膜層的除親水點陣之外的剩余表面進行疏水封閉，以在親水點陣外形成疏水區域，疏水物質與硅烷膜層共價連接；其中，親水物質包括親水分子，親水分子的兩個端基中，其中一個端基用于與硅烷膜層形成共價連接，另一個端基為堿基。利用該制備方法可在形成親疏水區域的同時，簡化芯片的制備工藝，降低芯片的制造成本。
本發明授權用于合成DNA的芯片的制備方法及該芯片的用途、DNA的合成方法在權利要求書中公布了：1.一種用于合成DNA的芯片的制備方法，其特征在于，包括： 在覆有硅烷膜層的基板表面，噴墨打印親水物質，待所述親水物質與所述硅烷膜層反應形成共價連接后，在所述硅烷膜層的表面形成親水點陣； 利用疏水物質在所述硅烷膜層的除所述親水點陣之外的剩余表面進行疏水封閉，以在所述親水點陣外形成疏水區域，所述疏水物質與所述硅烷膜層共價連接； 其中，所述親水物質包括親水分子，所述親水分子的兩個端基中，其中一個端基用于與所述硅烷膜層形成共價連接，另一個端基為堿基。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人華為技術有限公司;深圳市曙芯生物科技有限公司，其通訊地址為：518129 廣東省深圳市龍崗區坂田華為總部辦公樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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