買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉格芯(美國(guó))集成電路科技有限公司申請(qǐng)的專利在半導(dǎo)體阱上具有到摻雜半導(dǎo)體的雪崩結(jié)的集成電路結(jié)構(gòu)獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114068519B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202110879804.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D89/60；該發(fā)明授權(quán)在半導(dǎo)體阱上具有到摻雜半導(dǎo)體的雪崩結(jié)的集成電路結(jié)構(gòu)是由R·J·小戈捷;A·F·盧瓦索;S·米特拉;蔡?hào)|辰;M·苗;李由設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-08-02向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本在半導(dǎo)體阱上具有到摻雜半導(dǎo)體的雪崩結(jié)的集成電路結(jié)構(gòu)在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體阱上具有到摻雜半導(dǎo)體的雪崩結(jié)的集成電路結(jié)構(gòu)。本公開的實(shí)施例提供了一種集成電路IC結(jié)構(gòu)，其包括位于半導(dǎo)體襯底中的摻雜阱，以及位于摻雜阱中的基極區(qū)、發(fā)射極區(qū)和集電極區(qū)。絕緣材料位于摻雜阱內(nèi)，其具有水平地鄰近集電極區(qū)的第一端以及與第一端相對(duì)的第二端。摻雜半導(dǎo)體區(qū)位于摻雜阱內(nèi)并鄰近絕緣材料的第二端。摻雜半導(dǎo)體區(qū)被定位成跨摻雜阱在集電極區(qū)與摻雜半導(dǎo)體區(qū)之間限定雪崩結(jié)。

本發(fā)明授權(quán)在半導(dǎo)體阱上具有到摻雜半導(dǎo)體的雪崩結(jié)的集成電路結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成電路IC結(jié)構(gòu)，包括： 位于半導(dǎo)體襯底中的摻雜阱，所述摻雜阱具有第一摻雜類型； 位于所述摻雜阱內(nèi)并具有所述第一摻雜類型的基極區(qū)； 位于所述摻雜阱內(nèi)并具有與所述第一摻雜類型相反的第二摻雜類型的發(fā)射極區(qū)； 位于所述摻雜阱內(nèi)并水平地在所述基極區(qū)與所述發(fā)射極區(qū)之間的第一絕緣體； 位于所述摻雜阱內(nèi)并具有所述第二摻雜類型的集電極區(qū)； 位于所述摻雜阱內(nèi)并水平地在所述集電極區(qū)與所述發(fā)射極區(qū)之間的第二絕緣體； 位于所述摻雜阱內(nèi)的絕緣材料，所述絕緣材料具有水平地鄰近所述集電極區(qū)的第一端和與所述第一端相對(duì)的第二端；以及 摻雜半導(dǎo)體區(qū)，其位于所述摻雜阱內(nèi)并鄰近所述絕緣材料的所述第二端，其中所述摻雜半導(dǎo)體區(qū)具有所述第一摻雜類型，使得跨所述摻雜阱在所述集電極區(qū)與所述摻雜半導(dǎo)體區(qū)之間限定雪崩結(jié)。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人格芯(美國(guó))集成電路科技有限公司，其通訊地址為：美國(guó)加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。