廈門三安光電有限公司王彥欽獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廈門三安光電有限公司申請的專利微型發光二極管及其制備方法、發光裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115732610B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111000692.6，技術領域涉及：H10H20/831；該發明授權微型發光二極管及其制備方法、發光裝置是由王彥欽;陳勁華;郭桓邵;彭鈺仁;黃少華設計研發完成，并于2021-08-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本微型發光二極管及其制備方法、發光裝置在說明書摘要公布了：本申請公開了一種微型發光二極管及其制備方法、發光裝置，該微型發光二極管包括由第一半導體層、有源層和第二半導體層組成的半導體堆疊層，第二半導體層中遠離有源層的一側表面設置有窗口層；窗口層包括砷化鋁鎵層、以及由砷化鋁鎵層側壁的外表面向內氧化預設厚度的鈍化層。本申請將窗口層的側壁氧化成鈍化層，該鈍化層能夠保證注入的電流不會流經窗口層和半導體堆疊層的側壁，進而避免因窗口層和半導體堆疊層的側壁缺陷所導致的非輻射復合現象，并提高微型發光二極管的發光效率。
本發明授權微型發光二極管及其制備方法、發光裝置在權利要求書中公布了：1.一種微型發光二極管，包括半導體堆疊層，所述半導體堆疊層包括第一半導體層、第二半導體層以及位于兩者之間的有源層，所述第二半導體層遠離有源層的一側表面設置有窗口層； 其特征在于，所述窗口層包括砷化鋁鎵層、以及由所述砷化鋁鎵層側壁的外表面向內氧化預設厚度的鈍化層，所述窗口層包括由第一疊層和第二疊層交替形成的周期性結構，且每個周期內所述第一疊層位于所述窗口層靠近第二半導體層的一側，每個周期內，所述第一疊層中的鋁含量大于所述第二疊層中的鋁含量；所述窗口層靠近第二半導體層的表面定義為A面，所述窗口層遠離第二半導體層的一側表面定義為B面，所述鈍化層在A面的厚度DA1大于所述鈍化層在B面的厚度DB1；隨著所述窗口層周期數的增大，所述第一疊層側壁處的鈍化層厚度減小，所述第二疊層側壁處的鈍化層厚度保持不變或者減小。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門三安光電有限公司，其通訊地址為：361100 福建省廈門市同安區洪塘鎮民安大道841-899號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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