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龍圖騰網(wǎng)獲悉株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社申請的專利半導體裝置及半導體裝置的控制方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN115207112B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111008803.8，技術領域涉及：H10D12/00；該發(fā)明授權半導體裝置及半導體裝置的控制方法是由巖鍜治陽子;末代知子;系數(shù)裕子;河村圭子設計研發(fā)完成，并于2021-08-31向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本半導體裝置及半導體裝置的控制方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導體裝置及其控制方法。半導體裝置具有第一電極、第二電極、第一至第五半導體區(qū)域、第一及第二柵極電極。第一半導體區(qū)域設置于第一電極與第二電極之間。第二半導體區(qū)域設置于第一半導體區(qū)域與第二電極之間。第三半導體區(qū)域設置于第一半導體區(qū)域與第一電極之間。第一柵極電極隔著第一絕緣膜與第二半導體區(qū)域對置。第二柵極電極隔著第二絕緣膜與第二半導體區(qū)域對置，且隔著與第二絕緣膜接觸的第三絕緣膜而與第二電極對置。第五半導體區(qū)域設置于第二半導體區(qū)域與第二電極之間，且隔著第二或第三絕緣膜與第二柵極電極相鄰，并且具有與第二電極電接觸的邊界部。第四半導體區(qū)域的上表面與第一電極的距離大于邊界部與第一電極的距離。

本發(fā)明授權半導體裝置及半導體裝置的控制方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，具有： 第一電極； 第二電極，在第一方向上與所述第一電極分離地設置； 第一導電型的第一半導體區(qū)域，在所述第一方向上設置于所述第一電極與所述第二電極之間； 第二導電型的第二半導體區(qū)域，設置于所述第一半導體區(qū)域與所述第二電極之間； 第二導電型的第三半導體區(qū)域，設置于所述第一半導體區(qū)域與所述第一電極之間，與所述第一電極電連接； 多個第一柵極電極，在與所述第一方向相交的第二方向上，隔著第一絕緣膜而與所述第二半導體區(qū)域對置，并且隔著與所述第一絕緣膜接觸的第三絕緣膜而與所述第二電極對置； 多個第二柵極電極，在所述第二方向上隔著第二絕緣膜而與所述第二半導體區(qū)域對置，并且隔著與所述第二絕緣膜接觸的所述第三絕緣膜而與所述第二電極對置，該多個第二柵極電極被施加與所述第一柵極電極不同的電壓； 第一導電型的第四半導體區(qū)域，設置于所述第二半導體區(qū)域與所述第二電極之間，隔著所述第一絕緣膜或所述第三絕緣膜而與所述第一柵極電極相鄰；以及 第二導電型的第五半導體區(qū)域，設置于所述第二半導體區(qū)域與所述第二電極之間，隔著所述第二絕緣膜或所述第三絕緣膜而與所述第二柵極電極相鄰，并且具有與所述第二電極電接觸的邊界部， 所述第四半導體區(qū)域的上表面與所述第一電極之間的距離大于所述邊界部與所述第一電極之間的距離。

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