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龍圖騰網獲悉江南大學申請的專利一種用于STT-MRAM的混合型寫入結構及寫入方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114121069B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111337304.3，技術領域涉及：G11C11/16；該發明授權一種用于STT-MRAM的混合型寫入結構及寫入方法是由姜巖峰;成關壹設計研發完成，并于2021-11-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種用于STT-MRAM的混合型寫入結構及寫入方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種用于STT?MRAM的混合型寫入結構及寫入方法，屬于計算機存儲技術領域。本發明的混合型寫入結構通過兩個晶體管并聯，并調節晶體管的寬度來適當控制流過MTJ的電流的減小幅度，以增加STT?MTJ的使用壽命。進一步，由于MTJ器件的壽命受電壓影響較大，電壓越高，壽命越短，故本發明提出的一種采用雙電源的混合型寫入結構，在所述STT?MRAM的不同寫入操作提供不同的寫入電壓，并通過在STT?MRAM寫入操作時使第一寫入電壓大于第二寫入電壓，以使得所述STT?MRAM在寫“0”操作時，流過所述STT?MTJ的電流更小，同時實現低電壓寫入，能夠進一步增加STT?MTJ的使用壽命。

本發明授權一種用于STT-MRAM的混合型寫入結構及寫入方法在權利要求書中公布了：1.一種用于STT-MRAM的混合型寫入電路，其特征在于，所述寫入電路包括：STT-MTJ、第一晶體管M1和第二晶體管M2；其中，所述第一晶體管M1和所述第二晶體管M2并聯，并與所述STT-MTJ連接； 所述寫入電路在執行寫入操作時，當STT-MRAM的源線SL1和SL2端接寫入電壓VW，位線BL端接GND時，寫入電流從所述STT-MTJ的固定層流向自由層，所述STT-MRAM進行寫“1”操作； 當STT-MRAM的位線BL端接寫入電壓VW時，所述STT-MRAM的源線SL1接GND，所述第二晶體管M2處于截止狀態，寫入電流從所述STT-MTJ的自由層流向固定層，所述STT-MRAM進行寫“0”操作； 所述STT-MRAM進行寫“0”操作時寫入電流I W0由所述第一晶體管M1提供，I W0 =I M1； 所述STT-MRAM進行寫“1”操作時寫入電流I W1由所述第一晶體管M1和所述第二晶體管M2共同提供，I W1 =I M1 +I M2； 所述STT-MRAM進行寫“0”操作時的寫入電流I W0小于所述STT-MRAM進行寫“1”操作時的寫入電流I W1； 所述STT-MRAM中的STT-MTJ的TMR值為：TMR=R P（R P+R AP）；其中，當STT-MRAM進行寫“0”操作時，STT-MTJ的阻值R MTJ =R P；當STT-MRAM進行寫“1”操作時，STT-MTJ的阻值R MTJ =R AP；該TMR值在大于150%的情況下，所述寫入電路滿足I W1 I W0的要求。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江南大學，其通訊地址為：214122 江蘇省無錫市濱湖區蠡湖大道1800號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。