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龍圖騰網獲悉北京燕東微電子科技有限公司申請的專利功率半導體器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114141879B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111500478.7，技術領域涉及：H10D30/66；該發明授權功率半導體器件及其制備方法是由周源;王超;胡磊;邢岳;楊欞鑫;王振達;羅胡瑞設計研發完成，并于2021-12-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本功率半導體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請實施例提供了一種功率半導體器件及其制備方法。該功率半導體器件包括：依次層疊設置的第一電極層、半導體基板以及第一層間介質層，半導體基板中設有體區，體區中設有摻雜區；第一溝槽、第二溝槽以及第三溝槽，第一溝槽以及第三溝槽內分別設置有柵極介質層；第一金屬插塞、第二金屬插塞、第三金屬插塞，第一金屬插塞位于第一溝槽中，第二金屬插塞位于第二溝槽中，第三金屬插塞位于第三溝槽中；位于第一層間介質層上的第二層間介質層；間隔設置在第二層間介質層上的第二電極層以及柵極。該功率半導體器件中的溝槽利用金屬填充，耐壓穩定、電荷低、響應速度快，電阻低，交變信號時反應更快，可以有效降低開關時間。

本發明授權功率半導體器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種功率半導體器件，其特征在于，包括： 依次層疊設置的第一電極層、半導體基板以及第一層間介質層；所述半導體基板中設有體區，所述體區中設有摻雜區，所述半導體基板和所述摻雜區為第一摻雜類型，所述體區為第二摻雜類型，第一摻雜類型與第二摻雜類型相反；所述體區包括第一區域、第二區域以及第三區域； 第一溝槽、第二溝槽以及第三溝槽，所述第一溝槽位于所述第一區域且底部穿出所述體區，所述第二溝槽位于所述第二區域，所述第三溝槽位于所述第三區域且底部穿出所述體區，所述第一溝槽以及所述第三溝槽內分別設置有柵極介質層； 第一金屬插塞、第二金屬插塞、第三金屬插塞，所述第一金屬插塞位于所述第一溝槽中且頂部延伸至所述第一層間介質層，所述第二金屬插塞位于所述第二溝槽中且頂部延伸至所述第一層間介質層，所述第三金屬插塞位于所述第三溝槽中且頂部延伸至所述第一層間介質層； 位于所述第一層間介質層上的第二層間介質層，所述第二層間介質層覆蓋所述第一金屬插塞，所述第二層間介質層對應所述第二金屬插塞、所述第三金屬插塞的區域分別具有第一開口、第二開口； 間隔設置在所述第二層間介質層上的第二電極層以及柵極，所述第二電極層通過所述第一開口與所述第二金屬插塞連接，所述柵極通過所述第二開口與所述第三金屬插塞連接。

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