濟南晶正電子科技有限公司鄭姍姍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉濟南晶正電子科技有限公司申請的專利基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復合薄膜及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114388688B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202111641490.X，技術領域涉及：H10N30/04；該發(fā)明授權基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復合薄膜及其制備方法是由鄭姍姍;李真宇;連坤;劉亞明;孔霞設計研發(fā)完成，并于2021-12-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復合薄膜及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開一種基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復合薄膜及其制備方法，包括準備壓電晶圓和襯底基板，其中，所述壓電晶圓為鈮酸鋰晶圓或鉭酸鋰晶圓；利用離子注入?鍵合法或者鍵合?研磨拋光法，制備得到單晶壓電復合薄膜，其中，所述單晶壓電復合薄膜包括依次層疊的襯底基板和目標厚度的薄膜層；對所述單晶壓電復合薄膜中薄膜層進行等離子體刻蝕處理，其中，所述等離子體刻蝕處理所使用的等離子體包括還原性等離子體和或惰性等離子體；對黑化后的薄膜層研磨拋光處理，得到黑化單晶壓電復合薄膜。通過等離子體刻蝕方法對薄膜層處理，使薄膜層內氧空位濃度提升，從而實現修復薄膜層的黑化或者抑制薄膜層的白化。
本發(fā)明授權基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復合薄膜及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于等離子體刻蝕的黑化單晶壓電復合薄膜的制備方法，其特征在于，包括： 準備壓電晶圓和襯底基板，其中，所述壓電晶圓為鈮酸鋰晶圓或鉭酸鋰晶圓； 利用離子注入-鍵合法或者鍵合-減薄法，制備得到單晶壓電復合薄膜，其中，所述單晶壓電復合薄膜包括依次層疊的襯底基板和目標厚度的薄膜層； 對所述單晶壓電復合薄膜中薄膜層進行等離子體刻蝕處理，使所述薄膜層黑化，對黑化后的薄膜層研磨拋光處理，得到黑化單晶壓電復合薄膜，其中，所述等離子體刻蝕處理所使用的等離子體包括還原性等離子體和或惰性等離子體。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人濟南晶正電子科技有限公司，其通訊地址為：250100 山東省濟南市高新區(qū)港興三路北段1號濟南藥谷研發(fā)平臺1號樓B1806；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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