杭州芯邁半導體技術有限公司楊嘯獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉杭州芯邁半導體技術有限公司申請的專利溝槽型功率器件的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114429906B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-26發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111648832.0，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權溝槽型功率器件的制造方法是由楊嘯;陳輝;王加坤設計研發完成，并于2021-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本溝槽型功率器件的制造方法在說明書摘要公布了：本申請公開了溝槽型功率器件的制造方法。所述制造方法包括：在半導體襯底上形成漂移區；在所述漂移區中形成第一溝槽和第二溝槽；在所述第一溝槽中形成柵疊層；采用第一離子注入，在所述漂移區中形成P型的阱區和摻雜區；以及采用第二離子注入，在所述阱區中形成N型的源區，其中，所述第一離子注入形成摻雜劑濃度隨著深度逐漸減小的阱區，所述第二離子注入將所述阱區的上部反型以形成所述源區。該制造方法在公共的離子注入步驟中以自對準方式形成P型的阱區和摻雜區，不僅可以提高功率器件的性能，而且可以減少離子注入的工藝步驟和掩模數量，從而降低功率器件的制造成本。
本發明授權溝槽型功率器件的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種溝槽型功率器件的制造方法，包括： 在半導體襯底上形成漂移區； 在所述漂移區中形成第一溝槽和第二溝槽； 在所述第一溝槽中形成柵疊層； 采用第一離子注入，在所述漂移區中形成P型的阱區和摻雜區；以及 采用第二離子注入，在所述阱區中形成N型的源區， 其中，所述第一離子注入形成摻雜劑濃度隨著深度逐漸減小的阱區，所述第二離子注入將所述阱區的上部反型以形成所述源區， 在所述第二離子注入中，使用所述柵疊層作為硬掩模，以及使用抗蝕劑掩模遮擋所述第二溝槽，在所述阱區的上部注入摻雜劑。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州芯邁半導體技術有限公司，其通訊地址為：310051 浙江省杭州市濱江區西興街道聯慧街6號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號